图像传感器的制造方法.pdfVIP

  • 0
  • 0
  • 约1.76万字
  • 约 15页
  • 2023-05-13 发布于四川
  • 举报
本发明提供了一种图像传感器的制造方法,应用于半导体技术领域。具体的,其在通过现有的方法形成第一深阱区和第二深阱区之后,均未去除形成所述第一深阱区和第二深阱区的光刻胶层,而是进一步在该光刻胶层上形成一层与该光刻胶层的化学键可以发生化学混合反应的介质层(第一介质层或第二介质层),然后,使二者发生化学反应从而得到尺寸改变后的光刻胶层,并以该光刻胶层作为形成第三深阱区和第四深阱区的光刻胶层,从而省去了现有技术中用于形成第三深阱区和第四深阱区的光刻工艺,节省了光罩,释放了scanner机台产能。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114649361 A (43)申请公布日 2022.06.21 (21)申请号 202210287629.3 (22)申请日 2022.03.22 (71)申请人 上海华力微电子有限公司 地址 20

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档