一种高深宽比TSV金属柱的电镀工艺.pdfVIP

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2023-05-14 发布于四川
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一种高深宽比TSV金属柱的电镀工艺.pdf

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本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种高深宽比TSV金属柱的电镀工艺。本发明高深宽比TSV金属柱的电镀工艺包括以下步骤：在硅片的上下表面分别制作第一TSV盲孔和第二TSV盲孔，第一TSV盲孔与第二TSV盲孔之间有硅材质或钝化层隔离；在硅片的表面和TSV盲孔侧壁形成钝化层，然后在硅片的一面和第一TSV盲孔侧壁沉积种子层；干法刻蚀钝化层，然后将种子层作为导电层继续在硅片表面和TSV盲孔中电镀金属层，退火后抛光所述硅片双面的金属层，得到TSV盲孔填满金属柱的双孔互联的硅片结构，能够方便地制备具有高深宽

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113161289 A (43)申请公布日 2021.07.23 (21)申请号 202110435726.8 (22)申请日 2021.04.22 (71)申请人浙江集迈科微电子有限公司