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- 2023-05-17 发布于四川
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本发明公开了一种侧壁光滑且陡直的薄膜光子芯片制备方法，其结合了飞秒激光直写加工方法、化学机械抛光方法与干法刻蚀方法，具有加工效率高以及所制备的光子芯片结构侧壁光滑、陡直的优点，可用于高品质光子集成芯片的高效制备。化学机械抛光方法、干法刻蚀方法均可进行大规模高速加工，也能够显著提升整体加工效率。通过制备双层掩模图案结构，有效利用了化学机械抛光技术加工结构边缘光滑与干法刻蚀技术加工结构侧壁陡直度好的优点，所加工出的光子结构传输损耗低。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114815059 A
(43)申请公布日 2022.07.29
(21)申请号 202210227112.5
(22)申请日 2022.03.08
(71)申请人 嘉兴微智光子科技有限公司
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