SON器件及其制造方法.pdfVIP

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  • 2023-05-23 发布于四川
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本发明提供了一种SON器件及其制造方法,所述SON器件的制造方法包括:形成阵列排布的第一深槽于核心区的衬底中,以及形成环绕第一深槽的至少一圈第二深槽于外围区的衬底中,每一圈包含多个第二深槽,最靠近核心区的一圈第二深槽与核心区最外侧的第一深槽的间距大于相邻两个第一深槽的间距;执行退火工艺,以使得阵列排布的第一深槽之间连通形成为封闭的第一空腔,以及使得第二深槽形成为环绕第一空腔的至少一圈第二空腔。本发明的技术方案能够确保第一空腔的边缘封口,且能降低第一空腔顶部的应力膜与第一空腔外围的衬底之间的高度差

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116137250 A (43)申请公布日 2023.05.19 (21)申请号 202111356718.0 (22)申请日 2021.11.16 (71)申请人 无锡华润上华科技有限公司 地址

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