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场效应管 目录[隐藏] 场效应管 概念: 场效应管的分类: 场效应管的主要参数 : 结型场效应管的管脚识别: 场效应管与晶体三极管的比较 [编辑本段] 场效应管 根据三极管的原理开发出的新一代放大元件，有 3 个极性，栅极， 漏极，源极，它的特点是栅极的内阻极高，采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧，属于 电压控制型 器件。 [编辑本段] 概念: 场效应晶体管（ Field Effect Transistor 缩写(FET) ）简称场效应管 .由多数载流子参与导电 ,也称为单极型晶体管 .它属于电压控制型半导体器件 . 特点: 具有输入电阻高（ 100MΩ ～1 000MΩ ）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽、热稳定性好等优点 ,现已成为 双极型晶体管 和功率晶体管的强大竞争者 . 作用: 场效应管可应用于放大 .由于场效应管放大器的输入阻抗很高 ,因此耦合电容可以容量较小 ,不必使用电解电容器 . 场效应管可以用作电子开关 . 场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换 .常用于多级放大器的输入级作阻抗变换 .场效应管可以用作可变电阻 .场效应管可以方便地用作 恒流源. [编辑本段] 场效应管的分类 : 场效应管分结型、绝缘栅型 (MOS) 两大类 按沟道材料 :结型和绝缘栅型各分 N 沟道和 P 沟道两种 . 按导电方式 :耗尽型与增强型 ,结型场效应管均为耗尽型 ,绝缘栅型场效应管既有耗尽型的 ,也有增强型的。 场效应晶体管可分为结场效应晶体管和 MOS 场效应晶体管 ,而 MOS 场效应晶体管又分为 N 沟耗尽型和增强型 ;P 沟耗尽型和增强型四大类 . [编辑本段] 场效应管的主要参数 : Idss — 饱和漏源电流 .是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中 ,栅极电压 UGS=0 时的漏源电流 . Up — 夹断电压 .是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中 ,使漏源间刚截止时的栅极电压 . Ut — 开启电压 .是指增强型绝缘栅场效管中 ,使漏源间刚导通时的栅极电压 . gM — 跨导.是表示栅源电压 UGS — 对漏极电流 ID 的控制能力 ,即漏极电流 ID 变化量与栅源电压 UGS 变化量的比值 .gM 是衡量场效应管放大能力的重要参数 . BVDS — 漏源击穿电压 .是指栅源电压 UGS 一定时,场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压.这是一项极限参数 ,加在场效应管上的工作电压必须小于 BVDS. PDSM — 最大耗散功率 ,也是一项极限参数 ,是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率.使用时,场效应管实际功耗应小于 PDSM 并留有一定余量 . IDSM — 最大漏源电流 .是一项极限参数 ,是指场效应管正常工作时 ,漏源间所允许通过的最大电流.场效应管的工作电流不应超过 IDSM Cds--- 漏-源电容 Cdu--- 漏-衬底电容 Cgd--- 栅-漏电容 Cgs--- 漏-源电容 Ciss--- 栅短路共源输入电容Coss--- 栅短路共源输出电容Crss--- 栅短路共源反向传输电容 D--- 占空比（占空系数，外电路参数） di/dt--- 电流上升率（外电路参数） dv/dt--- 电压上升率（外电路参数） ID--- 漏极电流（直流） IDM--- 漏极脉冲电流ID(on)--- 通态漏极电流 IDQ--- 静态漏极电流（射频 功率管） IDS--- 漏源电流IDSM--- 最大漏源电流 IDSS--- 栅-源短路时，漏极电流 IDS(sat)--- 沟道饱和电流（漏源饱和电流） IG--- 栅极电流（直流） IGF--- 正向栅电流 IGR--- 反向栅电流 IGDO--- 源极开路时，截止栅电流IGSO--- 漏极开路时，截止栅电流IGM--- 栅极脉冲电流 IGP--- 栅极峰值电流IF--- 二极管正向电流 IGSS--- 漏极短路时截止栅电流IDSS1--- 对管第一管漏源饱和电流IDSS2--- 对管第二管漏源饱和电流Iu--- 衬底电流 Ipr--- 电流脉冲峰值（外电路参数） gfs--- 正向跨导 Gp--- 功率增益 Gps--- 共源极中和高频功率增益GpG--- 共栅极中和高频功率增益GPD--- 共漏极中和高频功率增益ggd--- 栅漏电导 gds--- 漏源电导 K--- 失调电压温度系数Ku--- 传输系数 L--- 负载电感（外电路参数） LD--- 漏极电感 Ls--- 源极电感rDS--- 漏源电阻 rDS(on)--- 漏源通态电阻 rDS(of)--- 漏源断态电阻 rGD--- 栅漏电阻rGS--- 栅源电阻 Rg--- 栅极外接电阻（外电路参数） RL--- 负载电阻（外电路参数） R(th)jc-