可自主分压的硅漂移探测器及其设计方法.pdfVIP

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  • 2023-05-28 发布于四川
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可自主分压的硅漂移探测器及其设计方法.pdf

本发明公开了一种可自主分压的硅漂移探测器及其设计方法,所述探测器包括正六棱柱状的硅基体,硅基体正面中心掺杂有中心阳极,中心阳极周围掺杂有正面阴极环,硅基体反面掺杂有反面阴极环,中心阳极、正面阴极环和反面阴极环表面均附着有金属铝,金属铝之间的硅基体上附着有二氧化硅保护层,二氧化硅保护层内分别原子层沉积有正面分压电阻圈和反面分压电阻圈;本发明内部电势、电场分布均匀,组合成阵列时没有死区,使用时无需外接电阻,避免了外接电阻对探测器面积和性能的限制。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112366237 A (43)申请公布日 2021.02.12 (21)申请号 202011329119.5 (22)申请日 2020.11.24 (71)申请人 湘潭大学 地址 41

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