半导体器件物理Chapter4集成电路制造工艺.pptVIP

第四章集成电路制造工艺 第一页，共三十五页。 第二页，共三十五页。 第三页，共三十五页。 芯片制造过程 第四页，共三十五页。 图形转换：将设计在掩膜版(类似于照相底片)上的图形转移到衬底上。 掺杂：根据设计的需要，将各种杂质掺杂在需要的位置上，形成晶体管、接触等。 制膜：制作各种材料的薄膜。 基本步骤： 硅片准备、 外延、 氧化、 掺杂、 淀积、 刻蚀、 光刻 第五页，共三十五页。 硅片准备 第六页，共三十五页。 光刻 （Lithography） 图形转移：将设计在掩膜版(类似于照相底片)上的图形转移到半导体单晶片上。 光刻的基本原理：利用光敏抗蚀涂层（光刻胶）发生光化学反应，结合刻蚀方法在各种薄膜上生成合乎要求的图形，以实现、形成金属电极和布线或表面钝化的目的。 第七页，共三十五页。 光刻工艺流程 第八页，共三十五页。 光刻三要素：光刻胶、掩膜版和光刻机 –光刻胶又叫光致抗蚀剂，它是由光敏化合物、 基体树脂和有机溶剂等混合而成的胶状液体。 –光刻胶受到特定波长光线的作用后，导致其化学结构发生变化，使光刻胶在某种特定溶液中的溶解特性改变。 正胶（曝光后可溶）：分辨率高，在超大规模集成电路工艺中，一般只采用正胶。 负胶（曝光后不可溶） ：分辨率差，适于加工线宽≥3?m的线条。 第九页，共三十五页。 插图fig.4.6 正胶：曝光后可溶 负胶：曝光后不可溶 第十页，共三十五页。 亮场版和暗场版 第十一页，共三十五页。 曝光的几种方法 接触式光刻：分辨率较高，但是容易造成掩膜版和光刻胶膜的损伤。 接近式曝光：在硅片和掩膜版之间有一个很小的间隙(10～25mm)，可以大大减小掩膜版的损伤，分辨率较低。 投影式曝光：利用透镜或反射镜将掩膜版上的图形投影到衬底上的曝光方法，目前用的最多的曝光方式。（特征尺寸：0.25?m) 超细线条光刻技术 （特征尺寸：0.10?m) 甚远紫外线(EUV) 电子束光刻 X射线 离子束光刻 特征尺寸—工艺水平的标志：在保证一定成品率的最细光刻线条。 第十二页，共三十五页。 图4.7 第十三页，共三十五页。 图形转移：刻蚀技术 湿法刻蚀：利用液态化学试剂或溶液通过化学反应进行刻蚀的方法。 湿法化学刻蚀在半导体工艺中有着广泛应用：磨片、抛光、清洗、腐蚀。 优点是选择性好、重复性好、生产效率高、设备简单、成本低。 缺点是钻蚀严重、对图形的控制性较差。 湿法刻蚀一般都是各向同性的，即横向和纵向的腐蚀速率相同。 第十四页，共三十五页。 干法刻蚀：主要指利用低压放电产生的等离子体中的离子或游离基(处于激发态的分子、原子及各种原子基团等)与材料发生化学反应或通过轰击等物理作用而达到刻蚀的目的。 溅射与离子束铣蚀：通过高能惰性气体离子的物理轰击作用刻蚀，各向异性性好，但选择性较差。 等离子刻蚀(Plasma Etching)：利用放电产生的游离基与材料发生化学反应，形成挥发物，实现刻蚀。选择性好、对衬底损伤较小，但各向异性较差。 反应离子刻蚀(Reactive Ion Etching，简称为RIE)：过活性离子对衬底的物理轰击和化学反应双重作用刻蚀。具有溅射刻蚀和等离子刻蚀两者的优点，同时兼有各向异性和选择性好的优点。目前，RIE已成为VLSI工艺中应用最广泛的主流刻蚀技术。 第十五页，共三十五页。 第十六页，共三十五页。 掺杂工艺（Doping） 掺杂：将需要的杂质掺入特定的半导体区域中，以达到改变半导体电学性质，形成PN结、电阻、欧姆接触。 掺入的杂质主要是： 磷(P)、砷(As) —— N型硅 硼(B) —— P型硅 掺杂工艺主要包括：扩散（diffusion)、离子注入(ion implantation)。 第十七页，共三十五页。 第十八页，共三十五页。 扩散 扩散由杂质、温度物质决定的扩散系数来决定。 替位式扩散：温度高，扩散系数低。 间隙式扩散：温度低，扩散系数高（比替位式扩散大6~7个数量级），必须严防间隙杂质进入扩散、氧化、退火系统。 选择性扩散：用氧化层作为杂质扩散的掩蔽层。 纵向扩散的同时，存在横向扩散。（0.8xj) 扩散方法主要有固态源扩散和液态源扩散。 两步扩散法：?事先进行预扩散（预淀积）， ?再扩散使扩散层推进到预期的深度（再扩散）。 扩散适于结较深（?0.3?m)、线条较粗（?3?m)器件。 第十九页，共三十五页。 插fig. 13, fig.14, fig2.8扩散方法。 液态源扩散 固态源扩散 第二十页，共三十五页。 第二十一页，共三十五页。 离子注入：将具有很高能量的杂质离子射入半导体衬底中的掺杂技术，掺杂深度由注入杂质离子的能量和质量决定，掺杂浓度由注入杂质离子的数目(剂量)决定。 离子注入的深度由注入离子的能量和