场效应管伏安特性与参数.pptxVIP

场效应管的伏安特性（1）场效应管的特性转移特性：漏极特性:漏极特性可分为可变电阻区、恒流区和夹断区三个部分。预夹断轨迹可变电阻区ID(mA)0213424685UDS(V)2V3V4V5VUGS=6V夹断区恒流区夹断区：特点：ID=0等效：GSD条件：UGSUGS(th)可变电阻区：特点：UDS=RDSID等效：条件： UGSUGS(th)、UDSUGS-UGS(th)恒流区：特点： ID=GmUGS等效：GSDGmUGSGSD条件： UGSUGS(th)、UDSUGS-UGS(th)以N沟道增强型MOS管为例直流跨导第1页，共4页。 场效应管的伏安特性（2）UDS=6VID(mA)UGS(V)0213424685ID0 转移特性曲线是UDS使管子工作于恒流区时ID与UGS的关系曲线，可近似为：其中，ID0是UGS=2UGS(th)时的ID值。ID(mA)UDS(V)02134246852V3V4V5V6V第2页，共4页。 场效应管的伏安特性（3）第3页，共4页。 场效应管的主要参数（4）{end}开启电压UGS(th)：增强型MOS管形成电流ID所需的最小电压。夹断电压UGS(th)：使耗尽型MOS管电流ID为零所需的电压。直流输入电阻RGS：RGS=UGS/IGS，一般大于109Ω。低频跨导gm：表明电压UGS对电流ID的控制，定义最大漏极电流ID：指管子工作时允许的最大漏极电流。漏源击穿电压U(BR)DS：指管子工作时允许的最大漏源电压UDS。栅源击穿电压U(BR)GS：指管子工作时允许的最大栅源电压UGS。最大耗散功率PDM：指管子工作时允许的最大消耗功率。第4页，共4页。