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炉管工艺 引言 IC 行业所用的炉管目前主要是垂直式的（水平式的已经很少用了），按使用压力不同分为常压炉管和低压炉管。常压炉管主要用于热氧化制程，热退火， BPSG 热回流，热烘烤，合金等诸方面。低压炉管则主要用于 LPCVD 沉积工艺， 包括多晶硅的形成，氮化硅的形成，HTO 和 TEOS 等；HTO 和 TEOS 都是用来生成二氧化硅的。本篇主要介绍炉管的基本知识及有关工艺。 §1. 常压炉管工艺 硅表面上总是覆盖着一层二氧化硅，即使是刚刚解理的硅，在室温下，只要在空气中一暴露就会在表面上形成几个原子层的氧化膜。当我们把硅晶片暴露在高温且含氧的环境里一段时间之后，硅晶片的表面会生长（grow）一层与硅附着 性良好，且具有高度稳定的化学性和电绝缘性的二氧化硅——SiO2。正因为二氧化硅具有这样好的性质，它在硅半导体元件中的应用非常广泛。根据不同的需要， 二氧化硅被用于器件（device）的保护层和钝化层，以及电性能的隔离，绝缘材 料和电容器的介质膜等。二氧化硅除了可以用硅晶片加热的方法来制备外，还可以用各种化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition）来获得，如 LPCVD(Low Pressure CVD)及 PECVD(Plasma Enhance CVD)等。选择那一种方法来制备二氧化硅层，与元件的制程 (Process)有相当大的关系。本章我们介绍热