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沟槽型MOSFET及其制造方法.pdfVIP

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  • 2023-06-04 发布于四川
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沟槽型MOSFET及其制造方法.pdf

    本申请公开了一种沟槽型MOSFET及其制造方法，涉及半导体技术领域。沟槽型MOSFET包括：第一掺杂类型的衬底，衬底的第一表面上设置有第一掺杂类型的外延层；设置在外延层内的第二掺杂类型的阱区；设置在阱区内的栅极沟槽结构，栅极沟槽结构的底部栅氧化层包括第一底部栅氧化层和与第一底部栅氧化层接触设置的第二底部栅氧化层，第二底部栅氧化层设置在第一底部栅氧化层远离第一表面的一侧，且与栅极沟槽结构的侧部栅氧化层不接触；设置在外延层内，且与栅极沟槽结构的底部角部处接触的第二掺杂类型的第一掺杂区。根据本申请实施

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116207156 A (43)申请公布日 2023.06.02 (21)申请号 202310436210.4 (22)申请日 2023.04.21 (71)申请人 北京中科新微特科技开发股份有限

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