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半导体装置及其形成方法.pdfVIP

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  • 2023-06-05 发布于四川
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半导体装置及其形成方法.pdf

    本发明涉及半导体装置及其形成方法，其中，一种半导体装置，包括基板；集电极，具有设置在基板内的掩埋层，位于该掩埋层的第一部分上方的第一阱区，以及至少部分地设置在该第一阱区内的第一导电区；基极，具有位于掩埋层的第二部分上方并横向邻接该第一阱区的第二阱区以及至少部分地设置在第二阱区内的第二导电区；发射极，具有至少部分地设置在该第二导电区内的第三导电区；隔离元件，位于该第一导电区和该第三导电区之间；导电板，位于该隔离元件上并电性连接该第一导电区。该掩埋层、该第一阱区、该第一导电区和该第三导电区具有第一导

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112750812 A (43)申请公布日 2021.05.04 (21)申请号 202011056092.7 (22)申请日 2020.09.30 (30)优先权数据 16/668,06

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