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场效应晶体管.pdfVIP

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  • 2023-06-05 发布于四川
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场效应晶体管.pdf

    本发明的场效应晶体管在半导体基板(1、2)的表面形成有栅极电极(3)、源极电极(4)以及漏极电极(5)。绝缘膜(6)在栅极电极(3)与漏极电极(5)之间的区域覆盖半导体基板(1、2)的表面。源极场板(7)形成于绝缘膜(6)之上，未与漏极电极(5)连接。二极管(8)的阴极与源极场板(7)连接，阳极为恒定电位。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112753104 A (43)申请公布日 2021.05.04 (21)申请号 201880095573.3 (51)Int.Cl.

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