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一种氮化硅粉体的合成方法.pdfVIP

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  • 2023-06-08 发布于四川
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一种氮化硅粉体的合成方法.pdf

    本发明涉及氮化硅粉体技术领域，具体为一种氮化硅粉体的合成方法；本发明所提供的氮化硅合成工艺首先使用了球磨处理，降低原料的粒径，去除表面氧化层，加速氮气的渗入速率，加速氮化反应，之后使用金属催化剂与熔融盐，在高温下吸附在硅粉表面，加速氮气的吸附，进一步地提高氮化速率，且本发明所使用的金属催化剂与熔融盐，均可溶于浓度为20‑30wt％的硝酸溶液，进一步地去除了杂质元素；之后本申请进一步地在其表面接枝氨基活性基团，生成活性自由基，从而接枝甲基丙烯酸甲酯，增加氮化硅的分散性能。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116216662 A (43)申请公布日 2023.06.06 (21)申请号 202310049031.5 (22)申请日 2023.02.01 (71)申请人 江苏富乐华功率半导体研究院有限

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