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共生孪晶Ni2Mo6S6O2/MoS2二维纳米片的合成方法.pdfVIP

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  • 2023-06-08 发布于四川
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共生孪晶Ni2Mo6S6O2/MoS2二维纳米片的合成方法.pdf

    本发明公开了一种暴露(00L)晶面的共生孪晶Ni2Mo6S6O2/MoS2二维纳米片的合成方法，采用离子插入法限制Ni离子位于Mo基化合物的晶格矩阵中，形成Ni‑Mo键合的前驱体，通过精确调控硫气氛浓度，利用Ni元素在Mo基化合物晶格矩阵中的重构作用，形成双核金属硫化物Ni2Mo6S6O2，同时利用限域生长单晶方法精确调控Ni2Mo6S6O2的生长方向，以单晶MoS2为生长模板，沿单晶MoS2的(110)晶面与单晶MoS2交替生长，形成Ni2Mo6S6O2与MoS2双晶共生的孪晶Ni2Mo6S6

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112853373 B (45)授权公告日 2021.12.03 (21)申请号 202110020771.7 C25B 11/09

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