模拟电子技术基础童诗白答案.docVIP

模拟电子技术基础 童诗白 答案 第一章 半导体基础知识 自测题 一、(1)? (2)× (3)? (4)× (5)? (6)× 2)C (3)C (4)B (5)A C 二、(1)A ( 三、U?1.3V U,0 U?,1.3V U?2V U?2.3V U?,2V O1O2O3O4O5O6 四、U,6V U,5V O1O2 五、根据P,200mW可得:U,40V时I,5mA，U,30V时I?6.67mA，UCMCECCECCE ,20V时I,10mA，U,10V时I,20mA，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。图CCEC 略。 六、1、 V,UBBBEI,,26μABRb I,, I,2.6mA CB U,V,IR,2VCECCCC U,U,2V。 OCE 2、临界饱和时U,U,0.7V，所以 CESBE V,UCCCES,,2.86mAICRc IC ,,28.6μAIB, V,UBBBE,,45.4k,RbIB 七、T:恒流区;T:夹断区;T:可变电阻区。 123 u习题 /Vi 10 1.1(1)A C (2)A (3)C (4)A tO1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V时管子会因电流过大而 uo/V烧坏。 10 1.3 u和u的波形如图所示。 iotO 1 1.4 u和u的波形如图所示。 io u/Vi 53 tO-3