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一种半导体结构及其制作方法.pdfVIP

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  • 2023-06-09 发布于四川
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一种半导体结构及其制作方法.pdf

    本发明提供一种半导体结构及其制作方法，该制作方法包括以下步骤提供一晶圆，所述晶圆包括用于形成半导体器件的正面和相对于所述正面的背面，在所述晶圆背面生长有掺杂多晶硅层，所述晶圆具有第一翘曲度；去除所述掺杂多晶硅层，使所述晶圆具有第二翘曲度，所述第二翘曲度小于所述第一翘曲度。本发明通过在晶圆背面减少一层多晶硅膜层，可以改善晶圆拉伸方向的翘曲度变化。并且可以在去除晶圆背面的多晶硅膜层之后，进一步形成二氧化硅层于晶圆背面，在晶圆总厚度不增加，甚至有所减少的情况下，可以进一步改善晶圆拉伸方向的翘曲度变化，

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113035688 A (43)申请公布日 2021.06.25 (21)申请号 20191

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