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本发明提供一种大尺寸硅片研磨工艺，包括：将硅片放入游星盘中，加入研磨液；上磨盘和下磨盘开始研磨所述硅片，上磨盘气缸的压力为轻压范围，所述上磨盘和所述下磨盘以一定转速研磨一段时间；将所述上磨盘气缸的压力由所述轻压范围调整至中压范围，所述上磨盘和所述下磨盘转速不变，研磨一段时间；将所述上磨盘气缸的压力由所述中压范围调整至高压范围，所述上磨盘和所述下磨盘转速不变，研磨一段时间。本发明的有益效果是有效的解决现有技术研磨效率低，且磨后硅片表面不平整，影响硅片的性能和质量的问题，还有硅片表面的总厚度变化变化
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113001392 A
(43)申请公布日 2021.06.22
(21)申请号 202110024202.X (51)Int.Cl.
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