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半导体制造教育材料第1页/共56页 2⊙ 开关闭合 ? 灯亮 = 开关闭合后有电流流过 = 金属线是导体⊙ 开关闭合 ? 灯不亮???? = 开关闭合后没有电流流过 ???? = 玻璃是绝缘体⊙ 开关闭合 ? 灯 ？ = 取决与有无电流 = (温度, 光照强度,半导体的掺杂, ...)1-1. 实验1. 什么是半导体第2页/共56页 3半导体的电导率介于导体和绝缘体之间半导体的电导率随着热度，光照和掺杂等因素而变化所以它有时候是导体，有时候是绝缘体。导体 + 绝缘体 ? 半导体半导体的电导率通过加入少量的不同元素就能很容易的被控制，这就叫掺杂。1-2. 定义1. 什么是半导体第3页/共56页 4 物质的分类有很多种方法 其中一种分类方法是按照它们的电导率来分 有以下三个范围：1. 导体（金属）— 当提供一定电压时会有很多电流通过.2. 半导体 — 当提供一定电压时会有少量电流通过3. 绝缘体 — 当提供一定电压时没有电流通过1. 什么是半导体1-3. 物质的分类第4页/共56页 5物质的电导率取决于物质的电子结构。一般情况下，电子是围绕原子核运行的，只有摆脱原子核的束缚，形成自由电子时，才会形成电流。1. 导体 : 有许多自由电子，如：铝 (Al) (FIG 2-1a)2. 半导体 : 有少量自由电子，如：硅 (Si) (FIG 2-1b)3. 绝缘体 : 没有自由电子，如：二氧化硅 (SiO2) (FIG 2-1c) Al+++Al+++Al+++Al+++SiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiOOOFig 2-1aFig 2-1bFig 2-1c2. 半导体的理论2-1. 结合模型第5页/共56页 62. 半导体的理论：B 硼(boron), Si 硅(silicon), Ge 锗(germanium), As 砷(arsenic), Sb 锑(antimony),Tb 铽(terbium), Po 钋(polonium), At 砹(astatine)第6页/共56页 7Si coreSi coreSi coreSi coreSi coreSi core2. 半导体的理论原子模型第7页/共56页 8　　??? Silicon Atomic Model（硅的原子模型） ??? Silicon Atomic Combine Mode（硅原子的结合模型）?Intrinsic Semiconductor （本征半导体）2.半导体的理论第8页/共56页 9硅，是半导体制造的常用材料，最外层4个电子。在正常的晶体结构中，以共价键形式结合，如图Figure 2-2 所示。（绝对零度条件下）SiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiFigure 2-22. 半导体的理论第9页/共56页 10若在绝对零度以上,一些电子获得足够的能量就会挣脱原子核的束缚，成为自由电子。如图Fig 2-3a 所示。而形成的空位就假想为空穴，如图Fig 2-3b 所示。 At any temperature above absolute zero, some of the electrons in the lattice gain sufficient energy to break free as shown in Fig 2-3a. The number of broken bonds, ni , as a function of temperature is shown Sp2. In a semiconductor, the absence of an electron, referred to as a hole, is also available to conduct current as shown in Fig 2-3b.SiSiSiSiSiSiSiSiSiFig 2-3aSiSiSiSiSiSiSiSiSiFig 2-3b2. 半导体的理论第10页/共56页 11半导体技术关键是增加电子或空穴的数量。电子数量n的增加可以通过掺杂5价元素，这类元素称为施主元素，浓度符号为ND。 Semiconductor technology depends on the ability to increase either the number of conduction electrons or the number of holes. This is the key to the manufacture of electrical devices such as diodes, resistors, capacitors, a