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沟槽型晶体管及其形成方法.pdfVIP

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  • 2023-06-12 发布于四川
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沟槽型晶体管及其形成方法.pdf

    本申请公开一种沟槽型晶体管及其形成方法，其中形成方法包括：提供包括衬底和外延层的基底；在外延层内形成分立的多个掺杂区；刻蚀部分掺杂区和外延层，形成第一开口；在第一开口内的侧壁形成第一牺牲层，并第一开口内填充第二牺牲层；形成至少在底部暴露所述掺杂区的第二开口，第二开口的两侧还暴露第二牺牲层；去除第二牺牲层，形成位于各个掺杂区上方的第三开口；形成第一介质层，第一介质层保形覆盖第三开口，暴露第一牺牲层；去除第一牺牲层，使第三开口内侧暴露外延层；在第三开口内侧暴露的外延层处形成第二介质层；向第三开口填充

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115692504 A (43)申请公布日 2023.02.03 (21)申请号 202211408811.6 (22)申请日 2022.11.11 (71)申请人 广东芯粤能半导体有限公司 地址 5

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