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实施方式提供能够兼顾高耐压与低接通电阻的半导体装置。实施方式的半导体装置具备在上表面形成有凹部的半导体部分、设于所述凹部内的一部分的绝缘部件、第一电极、以及比所述绝缘部件薄的栅极绝缘膜。所述第一电极具有设于所述凹部内的其他一部分的第一部分、以及设于比所述绝缘部件靠上方的位置的第二部分。所述栅极绝缘膜设于所述半导体部分与所述第一部分之间。所述半导体部分具有与所述栅极绝缘膜相接的第一导电型的第一层、以及与所述第一层相接并与源极触点及漏极触点连接的第二导电型的第二层和第三层。在从上方观察时，所述凹部位
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113035932 A
(43)申请公布日 2021.06.25
(21)申请号 202010817443.5
(22)申请日 2020.08.14
(30)优先权数据
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