集成电路制造技术——原理与工艺（第3版）课件5.4 离子注入损伤.pptx

特殊字体双击安装安装后重启PPT请先安装字体 集成电路制造技术集成电路制造技术JI CHENG DIAN LU ZHI ZAO JI SHU ——原理与工艺主讲/田丽王蔚 注入损伤第五章 离子注入 注入损伤JI CHENG DIAN LU ZHI ZAO JI SHU 注入损伤 高能离子注入硅片后与靶原子发生一系列碰撞，可能使靶原子发生移位；移位原子还可把能量依次传给其它原子，结果产生一系列的空位(V)、间隙原子(I) 以及其它类型的晶格无序。这种因为离子注入所引起的简单或复杂的缺陷统称为晶格损伤。(Si)Si?SiI + SiV 注入损伤 1级联碰撞移位原子：因碰撞而离开晶格位置的原子，又称反冲原子。移位阈能Ed：使一个处于平衡位置的原子发生移位所需的最小能量，硅原子：Ed≈15eV。级联碰撞：指碰撞中靶原子移位，该移位原子再碰撞其它原子，使其它原子再移位的现象。 注入损伤 入射离子与靶原子碰撞的三种情况：EE Ed ，无移位原子，表现为宏观热能。Ed E 2Ed ，只能使一个原子移位，出现第一级反冲原子。E 2Ed ，发生级联碰撞，出现第二级反冲原子、第三极反冲原子…，产生大量空位与自间隙原子。 级联碰撞 使大量靶原子移位，导致晶格高密度损伤。对于同种类靶（如硅片），不同注入离子的级联碰撞情况不同。 注入损伤 2简单晶格损伤每次碰撞传给靶原子的能量小，只能产生少量移位原子。同时，入射离子散射角度大，运动方向变化就大。轻离子注入产生的损伤密度小，不重叠，但区域较大，呈锯齿状。每次碰撞传输给靶原子的能量大，易发生级联碰撞。同时，入射离子散射角小，射程较短。在小体积内有较大损伤。重离子注入所造成的损伤区域小，损伤密度大。轻离子入射：重离子入射： 在临界剂量开始形成连续非晶层 注入损伤 3非晶层的形成晶格损伤有三种：点缺陷损伤复合体非晶层晶格损伤主要与注入离子剂量、质量、能量、剂量率，以及靶温有关：注入剂量越大，晶格损伤越严重。简单晶格损伤临界剂量 注入损伤临界剂量注入离子原子量越小，临界剂量越大；靶温越高，临界剂量越大；注入离子能量升高，可降低临界剂量；注入离子剂量率上升，临界剂量下降；沿某晶轴方向入射，临界剂量高于随机入射。 一、 概述2.2离子注入相关理论基础1. 核碰撞四级标题字体：正文中文：思源黑体 CN Medium思源黑体 CN Normal 英文： Times New RomanCambria Math 基础字号：28 色调：一级标题二级标题三级标题请老师确认模板中使用的元素是否符合需求可用使用四级标题备注：封面为了效果更突出，用了思源宋体，如果不需要可以直接更换为思源黑体即可