集成电路制造技术——原理与工艺（第3版）课件 5.5退火.pptx

特殊字体双击安装安装后重启PPT请先安装字体 集成电路制造技术集成电路制造技术JI CHENG DIAN LU ZHI ZAO JI SHU ——原理与工艺主讲/田丽王蔚 退火第五章 离子注入 退火JI CHENG DIAN LU ZHI ZAO JI SHU 退火离子注入后必须进行退火；退火就是将硅片在某一高温下保持一段时间，使杂质通过扩散进入替位，恢复电活性；并修复晶格，使损伤区域“外延生长”为晶体，恢复或部分恢复硅的迁移率，少子寿命。 退火效果与温度、时间、方式有关。常规退火温度越高、时间越长效果越好。 退火 1硅材料的热退火特性考虑效果修复晶格：退火温度在600℃以上，时间最长可达数小时。杂质激活：退火温度在650－900℃，时间10－30分钟。 退火工艺条件取决于注入离子质量、剂量、能量、靶温、晶格损伤类型，以及退火效果等。另外，还应考虑高温时的杂质再分布现象。注入剂量低剂量简单损伤，在较低温度下退火就可以消除。高剂量形成非晶区，在550-600℃硅重新结晶，杂质随着结晶进入格点电激活。 退火 2硼的退火特性ions/cm2低于500℃的Ⅰ区，p/Ns随温度上升而单调增大；在500~ 600℃的Ⅱ区，出现逆退火现象。高于600℃的Ⅲ区，p/Ns随温度上升而单调增大；逆退火现象低剂量注入，p/Ns随温度上升而单调增大。高剂量注入，可以将退火温度分为三个区： 退火 3磷的退火特性较低剂量注入，退火特性与硼相似， p/Ns随温度上升而单调增大。当剂量大于1015 /cm2时，损伤区为非晶层，出现了不同退火机理，温度不到600℃，就发生了无定形层的固相外延生长。磷与硅没有区别地同时以替位方式结合入晶格，完成退火。 退火 4高温退火引起的杂质再分布注入区的杂质，即使在比较低的温度退火，扩散效果也非常显著，这是因为离子注入的晶格损伤造成硅内空位密度及其它缺陷数量大增的缘故。退火时间为35分钟 退火 5二次缺陷二次缺陷二次缺陷就是退火留下的复杂损伤。二次缺陷随离子注入剂量及退火温度而变化。可以影响载流子迁移率、少子寿命等，因而直接影响半导体器件的特性。离子注入后进行热氧化时，还会产生更大的层错和位错环，称为三次缺陷。三次缺陷可使二极管的反向漏电流变大。 退火 6退火方式及快速热处理技术快速退火都是在瞬时将硅片的某个区域加热到高温，一般在100秒内就完成了退火，因此，避免了杂质再分布，降低了二次缺陷。 一、 概述2.2离子注入相关理论基础1. 核碰撞四级标题字体：正文中文：思源黑体 CN Medium思源黑体 CN Normal 英文： Times New RomanCambria Math 基础字号：28 色调：一级标题二级标题三级标题请老师确认模板中使用的元素是否符合需求可用使用四级标题备注：封面为了效果更突出，用了思源宋体，如果不需要可以直接更换为思源黑体即可