集成电路制造技术——原理与工艺（第3版）课件 5.3 注入离子在靶中的分布.pptx

特殊字体双击安装安装后重启PPT请先安装字体 集成电路制造技术集成电路制造技术JI CHENG DIAN LU ZHI ZAO JI SHU ——原理与工艺主讲/某某某 注入离子在靶中的分布第五章 离子注入 注入离子在靶中的分布JI CHENG DIAN LU ZHI ZAO JI SHU 注入离子在靶中的理论分布 1纵向分布设注入离子初始能量为E0，求进入靶面后的射程：平均投影射程Rp和投影标准偏差ΔRp:E 和R 的缓变函数M1M2; b=1/3 注入离子在靶中的理论分布 1纵向分布一束离子射入非晶靶，因注入离子在靶内受到的碰撞是随机的，所以注入离子射程也是按几率分布。0x(atoms/cm3)(atoms/cm2)离子注入分布情况 注入离子在靶中的理论分布 2横向效应???? 注入离子在靶中的理论分布注入杂质的等浓度分布曲线在E0相同，不同杂质注入，原子量越小，横向效应越大，注入的也越深。同种杂质，随着E0增加，横向效应逐渐变大，注入的深度也逐渐变深。 注入离子在靶中的理论分布横向效应的影响35 keV注入As120 keV注入As 注入离子在靶中的分布---其他影响因素 3单晶靶中的沟道效应(111)Si(100)Si(110)Si1.8?硅片倾斜旋转后无序方向离子束准确地沿着晶向注入，进入沟道的离子几乎不会受到原子散射，这部分离子能量损失小，将穿过较大距离，这种现象称为沟道效应。 注入离子在靶中的分布临界角 晶轴方向上面是〈111〉Si，下面是〈100〉Si 注入离子束与靶片晶向夹角比Ψc大得多时，很少发生沟道效应，可用临界角来描述发生沟道效应的界限。硅中常用杂质的临界角与能量关系 注入离子在靶中的分布沿110晶向的沟道效应 由于沟道效应的存在，在晶体中的注入离子浓度将偏离高斯分布函数，实际浓度分布中出现一个相当长的“尾巴”。Rp偏离110晶向8° 4影响注入离子分布的其它因素 注入离子在靶中的分布背散射：指高能离子束入射到靶片时，一小部分与晶格原子弹性散射，而被靶原子反射回来的现象。轻离子注入：由于靶原子核的大角度反向散射，会引起在峰值与表面一侧有较多的离子堆积。 4影响注入离子分布的其它因素 注入离子在靶中的分布重离子注入：与靶原子核的散射角小，会引起比峰值更远一侧有较多的离子堆积。相同注入能量情况下，注入离子越轻平均投影射程越远，射程标准偏差也越大。 一、 概述2.2离子注入相关理论基础1. 核碰撞四级标题字体：正文中文：思源黑体 CN Medium思源黑体 CN Normal 英文： Times New RomanCambria Math 基础字号：28 色调：一级标题二级标题三级标题请老师确认模板中使用的元素是否符合需求可用使用四级标题备注：封面为了效果更突出，用了思源宋体，如果不需要可以直接更换为思源黑体即可