集成电路制造技术——原理与工艺（第3版）课件 6.6 CVD-多晶硅薄膜.pptx

特殊字体双击安装安装后重启PPT请先安装字体 集成电路制造技术集成电路制造技术JI CHENG DIAN LU ZHI ZAO JI SHU ——原理与工艺主讲/某某某 CVD技术制备多晶硅薄膜CVD技术制备多晶硅薄膜第六章化学气相淀积JI CHENG DIAN LU ZHI ZAO JI SHU 多晶硅薄膜的淀积 1多晶硅薄膜的性质与用途多晶硅薄膜是由无数微小晶粒组成的薄膜，晶粒大小与制备工艺有关；在晶粒与晶粒之间存在晶界。晶界原子排列无序，含大量悬挂键及高密度缺陷。杂质扩散系数大----晶界晶粒内部杂质在晶粒内与晶界处分凝----分凝系数小于1，且随温度而变化，高温时晶粒内杂质在低温时运动到晶界处，而高温时又返回晶粒内。 多晶硅的结构特点造成它有一些与单晶不同的特性： 多晶硅薄膜的淀积多晶硅的电学特性晶粒内的电学行为和单晶硅的电学行为相似；掺杂浓度相同时，低掺杂浓度多晶比单晶电阻率高得多；随着掺杂浓度增高，两者逐渐接近；电阻率与晶粒尺寸有关：晶粒尺寸大电阻率低，晶粒小则相反；晶粒尺寸进入纳米量级时，电阻率迅速增加，成为半绝缘薄膜。掺磷多晶与单晶硅电阻率曲线 多晶硅薄膜的淀积多晶硅有良好的高温工艺兼容性，与热生长SiO2有很好的接触性能，保形性良好，应力小。MOS的自对准多晶硅栅SiSIO2Poly-Si多晶硅压力传感器芯片特点：MOS器件的栅电极及多层互连布线；（自对准工艺的硅栅等）在SRAM中用于制作高值负载电阻；MEMS器件中，制作力学传感器的应变电阻等。用途： 多晶硅薄膜的淀积 2CVD多晶硅薄膜工艺源：硅烷工艺：温度为580-650℃，用H2、N2稀释SiH412质量：淀积温度、淀积速率，总压力、硅烷分压，以及随后的热处理过程。3SiH4（a） ? SiH2（a）+H2SiH2（a） ? Si（s）+H2 多晶硅薄膜的淀积 3多晶硅薄膜的掺杂1.直接掺杂 是在CVD过程中，将含所需杂质元素的掺杂剂，如PH3、AsH3、B2H4等，与硅源混合气体一起通入反应器，进行的原位气相掺杂。直接掺杂对多晶硅薄膜的生长动力学特性和薄膜的结构、形貌都有显著的影响。如，掺杂剂为PH3时多晶硅薄膜的厚度均匀性变差；p型杂质使淀积速率单调增大，而n型杂质使淀积速率下降。优势：方法简单；但杂质源和硅源的化学动力学性质不同，导致薄膜生长过程更加复杂，且难以获得重掺杂的n型多晶硅。 多晶硅薄膜的淀积 3多晶硅薄膜的掺杂2.两步工艺先LPCVD本征多晶硅薄膜，然后再进行离子注入或扩散掺杂。 离子注入：杂质数量精确可控，也适用低掺杂薄膜的制备。注入后通常采用 RTP完成杂质激活。优点：可以精确控制掺入杂质的剂量，适合不同掺杂浓度的多晶硅薄膜。 扩散掺杂：N型杂质常用液态源POCl5，工艺温度在900~ 1000℃。优点：可以获得较低电阻率多晶硅薄膜。掺磷多晶硅电阻率曲线 一、 概述2.2离子注入相关理论基础1. 核碰撞四级标题字体：正文中文：思源黑体 CN Medium思源黑体 CN Normal 英文： Times New RomanCambria Math 基础字号：28 色调：一级标题二级标题三级标题请老师确认模板中使用的元素是否符合需求可用使用四级标题备注：封面为了效果更突出，用了思源宋体，如果不需要可以直接更换为思源黑体即可