集成电路制造技术——原理与工艺（第3版）课件6.4 CVD SiO2薄膜.pptx

特殊字体双击安装安装后重启PPT请先安装字体 集成电路制造技术集成电路制造技术JI CHENG DIAN LU ZHI ZAO JI SHU ——原理与工艺主讲/某某某 CVD技术制备SiO2薄膜CVD技术制备SiO2薄膜第六章化学气相淀积JI CHENG DIAN LU ZHI ZAO JI SHU 一、二氧化硅薄膜的淀积1.1CVD-SiO2特性与用途1.分类按掺杂划分：本征SiO2（USG）、PSG、 BPSG薄膜；按温度划分：底温工艺（200~500 ℃ ）和中温工艺（500~750 ℃ ）；12按淀积方法划分：APCVD-SiO2、LPCVD-SiO2、PECVD-SiO2 ；3按硅源划分：SiH4/O2或N2O、TEOS(正硅酸乙酯Si(C2H5O)3）/ O2或O3 、 SiH2Cl2/N2O。4 一、二氧化硅薄膜的淀积1.1CVD-SiO2特性与用途2.特点、用途及要求热氧化SiO2折射率n=1.46，当n1.46，薄膜富硅，n1.46，为低密度多孔薄膜；TEOS为硅源淀积的SiO2台阶覆盖性好于以硅烷为硅源的反应剂系统。作为多层布线中金属层之间的绝缘层：应有较好的台阶覆盖性，具备较高介质击穿电压；作为防止杂质外扩的覆盖层、掩膜以及钝化层：针孔密度低，薄膜致密。SiO2薄膜用途不同，要求不同：与热氧化SiO2的理化性质相比略有差异，随着工艺温度降低，密度下降，耐腐蚀性下降，成分偏离化学配比。 1.1CVD-SiO2特性与用途3. PSG、BPSG薄膜SiO2中掺P或B后软化温度下降，通过退火回流，可降低硅片表面台阶，实现平整化。掺杂剂：PH3、B2H4、TMB 、 TMP。PSG薄膜应力小，台阶覆盖性较好，P一般控制在6~8wt%；BPSG是三元氧化膜体系，软化温度低于PSG ，回流温度在850℃， B控制在5wt%以下。PSG经过20min1100℃的退火后形貌的SEM照片 一、二氧化硅薄膜的淀积 1.2APCVD-SiO21. SiH4/O2为源工艺：通常淀积USG，温度450~500℃，用N2稀释SH4与过量O2的混合气体： SH4(g)+O2(g) → SiO2(s)+2H2(g)特点：工艺成熟，孔隙填充和台阶覆盖特性差12用途：作为多层金属铝布线中铝层之间的绝缘层（记为ILD）3也可加入PH3来淀积PSG。淀积速率在0.2~0.5μm／min。一、二氧化硅薄膜的淀积 1.2APCVD-SiO22. TEOS/O3为源工艺：温度为400℃，TEOS为液态，沸点：168.1℃，用源瓶载气携带，温控流量；O31-2%。加入PH3、B2H4来淀积PSG、BPSG。特点：在SiO2薄膜中会含有水汽，针孔密度较高，通常需要高温退火去除潮气，提高薄膜致密度；良好的台阶覆盖性，填充孔隙能力较强。12用途：多用于淀积多层布线金属层之间的绝缘层。 3Si(C2H5O)4(l) + 8O3 (g) → SiO2 (s)+ 10H2O(g) + 8CO2(g)一、二氧化硅薄膜的淀积实际工艺常将SiH4/O2 和TEOS/O3两种系统连用，也可APCVD 和其它方法结合起来使用。 1.2LPCVD-SiO21. TEOS或TEOS/O2为源工艺：制备USG、PSG、BPSG，温度: 680-750℃：特点：工艺成熟，孔隙填充和台阶覆盖特性差12用途：作为多层金属铝布线中铝层之间的绝缘层（记为ILD）3Si(OC2H5)4?SiO2+4C2H4+2H2OSi(C2H5O)4 + 12O2 → SiO2 + 8CO2 + 10H2O4PH3 +5O2 → 2P 2O5 + 6H22B2H6 +3O2 → 2B 2O3 + 6H2一、二氧化硅薄膜的淀积 1.2LPCVD-SiO22. SiH2Cl2/N2O为源工艺：淀积USG和PSG、BPGS，温度约900℃。特点：是高温工艺，薄膜的均匀性和台阶覆盖能力都好，HF的腐蚀速率、密度，以及电学性质和光学性质也都与热生长的氧化层接近。 含有氯。12用途：作为掩蔽膜3SiH2Cl2 + 2N2O → SiO2 + HCl + 2N2一、二氧化硅薄膜的淀积 1.3PECVD-SiO2源：SiH4/N2O 、O2工艺：200~400℃，10~100Pa12特点：薄膜含H、N，与LPCVD、APCVD相比薄膜应力小、不易开裂、保形性好3SH4+2N2O → SiO2+2N2 + 2H2用途：可作为保护膜、钝化膜 4用SiH4-N2O为源制备的PECVD-SiO2薄膜特性的影响因素 另外，可用TEOS源淀积，记为PETEOS，通常是HDP-CVD。一、二氧化硅薄膜的淀积 一、 概述2.2离子注入相关理论基础1. 核碰撞四级标题字体：正文中文：思源黑体 CN Med