集成电路制造技术——原理与工艺（第3版）课件 6.5 CVD Si3N4薄膜.pptx

特殊字体双击安装安装后重启PPT请先安装字体 集成电路制造技术集成电路制造技术JI CHENG DIAN LU ZHI ZAO JI SHU ——原理与工艺主讲/某某某 CVD技术制备Si3N4薄膜CVD技术制备Si3N4薄膜第六章化学气相淀积JI CHENG DIAN LU ZHI ZAO JI SHU 氮化硅薄膜淀积1.1氮化硅薄膜性质与用途氮化硅薄膜与二氧化硅薄膜比较：抗钠能力强，硬度大，针孔少，更致密，化学稳定性好，作为钝化膜、保护膜有优势；掩蔽能力强，SiO2对B、P、As、Sb有掩蔽作用，Si3N4还可以掩蔽Ga、In、ZnO。能作为多种杂质的掩蔽膜。介电常数ε大、导热性好，εSiO2=4.2，εSi3N4=6-9，作为电容的介质层；与硅失配率大，与Si3N4接触的Si界面缺陷大，成为载流子陷阱，或者复合中心，影响硅的载流子迁移率。因此，通常在硅表面淀积氮化硅之前先热生长一薄层氧化层作为缓冲层，再淀积氮化硅薄膜。 1.1氮化硅薄膜性质与用途SiSiO2光刻胶自停止层SiSi3N4选择性氧化的掩膜SixNy保护膜分类：LPCVD-Si3N4和PECVD-SixNyLPCVD-Si3N4薄膜密度大，硬度高，耐腐蚀性强，又被称为硬（质）氮化硅，PECVD-SixNy工艺温度低，薄膜通常含有相当数量的H，密度、硬度、耐腐蚀性都不如LPCVD-Si3N4，又被称为软（质）氮化硅。符合化学计量比、致密度高的Si3N4薄膜的折射率n=2.0;当薄膜的折射率n2.0时，且n值越大，表明该薄膜中硅含量越高，薄膜富硅；若n2时，则表明致密度低，薄膜中存在氧，随着氧含量的增加折射率降低。 氮化硅薄膜淀积 1.2LPCVD-Si3N4反应剂：SiCl2H2/NH3，SiH4/NH3或N2：工艺：温度在700-850oC；压力：0.1-1Torr，硅烷应稀释，NH3要充足。12速率影响因素：工艺温度、总气压，各气体分压及比例等。3温度梯度对LPCVD薄膜厚度的影响SiH2Cl2+NH3 → Si3N4+ HCl+H2SiH4+4NH3(或N2 )→Si3N4+6H2 氮化硅薄膜淀积 LPCVD-Si3N4的淀积速率与浓度、温度的关系 特点：台阶覆盖性较好，也有粒子污染；薄膜的内应力大，超过200nm的厚时可发生龟裂；耐HF、KOH等腐蚀。 用途：主要是作为掩膜 氮化硅薄膜淀积 1.3PECVD-Si3N4反应剂：SiH4/NH3、N2 ，工艺：温度在200-400oC；压力：10-100Pa，以N2为反应剂应比NH3要更充足。 12特点：薄膜氢含量高；用N2代替NH3含氢明显下降，淀积速率也降低。3 NH3含量对PECVD-Si3N4的影响SiH2Cl2+NH3 → SixNyHz+ HCl+H2SiH4 + N2 → SixNyHz + H2 氮化硅薄膜淀积 PECVD-Si3N4工艺温度对腐蚀速率等的影响 用途：作为芯片的保护膜和钝化膜，但有些场合低温淀积薄膜质量的下降，也限制了它的应用。 近年来，高密度等离子体技术被应用到Si3N4淀积中，如电子回旋共振技术。可以在低于200℃制备SixNy。 氮化硅薄膜淀积1.3PECVD-Si3N4 氮化硅薄膜淀积1.4PECVD-SiON工艺：温度在200-500oC；SiH4、N2O、NH3混合气体制作SiON层间绝缘层，以N2为反应剂应比NH3要更充足。 12发展：随着CMOS 工艺技术发展，其他的物理或化学沉积方式，如原子层沉积、等离子体氮化、低能离子注入技术等也被采用到SiON薄膜制作中。3氮氧硅化合物（SiON）薄膜：具有优良的光电性能、力学性能和化学稳定性，且具有高的击穿电场和强的抗辐射能力；对PMOS多晶硅中硼元素有较好的阻挡作用。4 一、 概述2.2离子注入相关理论基础1. 核碰撞四级标题字体：正文中文：思源黑体 CN Medium思源黑体 CN Normal 英文： Times New RomanCambria Math 基础字号：28 色调：一级标题二级标题三级标题请老师确认模板中使用的元素是否符合需求可用使用四级标题备注：封面为了效果更突出，用了思源宋体，如果不需要可以直接更换为思源黑体即可