晶体二极管与应用.pptxVIP

第1页/共66页晶体二极管与应用第2页/共66页第二章晶体二极管及应用问题：1.为什么用半导体材料制作电子器件？2.PN结上所加的电压和电流符合欧姆定律吗？3.常用电子器件主要有哪些？4. 各种器件有何功能？第3页/共66页第二章晶体二极管及应用2.1 半导体基础知识2.2 PN结2.3 半导体二极管（二极管）第4页/共66页2.1 半导体基础知识一、半导体的特性二、本征半导体及半导体的能带三、杂质半导体第5页/共66页?什么是半导体？一、半导体特性 导电率为105s.cm-1，量级，如金属。（S:西门子)导 体:导电率为10-22～10-14 s.cm-1量级，如：橡胶、云母、塑料等。绝缘体:导电能力介于导体和绝缘体之间。如：硅、锗、砷化镓等。半导体:光敏器件光电器件? 半导体特性掺杂特性掺入杂质则导电率增加几百倍半导体器件热敏器件温度特性温度增加使导电率大为增加光照特性光照不仅使导电率大为增加还可以产生电动势第6页/共66页二、本征半导体及半导体的能带完全纯净、结构完整的半导体晶体。纯度：99.9999999%，“九个9”它在物理结构上呈单晶体形态。本征半导体在晶体中，质点的排列有一定的规律。晶体特征常用的本征半导体价电子+4注意：为了方便，原子结构常用二维结构描述，实际上是三维结构。正离子硅（锗）的原子结构简化模型第7页/共66页+4+4+4导带+4+4+4禁带EG价带+4+4+4二、本征半导体及半导体的能带（续）自由电子定向移动形成电子流?本征半导体的原子结构和共价键共价键内的电子称为束缚电子外电场E挣脱原子核束缚的电子称为自由电子束缚电子填补空穴的定向移动形成空穴流价带中留下的空位称为空穴锗晶体的共价键结构示意图 半导体能带结构示意图第8页/共66页二、本征半导体及半导体的能带（续）载流子概念：运载电荷的粒子。— 自由电子和空穴1. 本征半导体中有两种载流子它们是成对出现的2. 在外电场的作用下，产生电流— 电子流和空穴流自由电子作定向运动形成的方向与外电场方向相反自由电子始终在导带内运动电子流价电子递补空穴形成的方向与外电场方向相同始终在价带内运动空穴流3. 注意：本征半导体在热力学零度（0K）和没有外界能量激发下，晶体内无自由电子，不导电。第9页/共66页结论二、本征半导体及半导体的能带（续）?本征半导体的载流子的浓度电子浓度 ni :表示单位体积内的自由电子数空穴浓度 pi :表示单位体积内的空穴数。A0 — 与材料有关的常数EG0 — 禁带宽度T— 绝对温度k— 玻尔曼常数1. 本征半导体中 电子浓度ni = 空穴浓度pi 2. 载流子的浓度与T、EG0有关 第10页/共66页二、本征半导体及半导体的能带（续）? 载流子的产生与复合g——载流子的产生率 即每秒成对产生的电子空穴的浓度。R——载流子的复合率 即每秒成对复合的电子空穴的浓度。当达到动态平衡时 g=R R = r nipi 其中r—复合系数，与材料有关。第11页/共66页三、杂质半导体 掺入的三价元素如B（硼）、Al（铝）等，形成P型半导体，也称空穴型半导体。掺入杂质的本征半导体。掺杂后半导体的导电率大为提高。杂质半导体 掺入的五价元素如P（磷） 、砷等，形成N型半导体，也称电子型半导体。第12页/共66页+4+4+4导带+4+4+4施主能级价带++++++++4+4+4三、杂质半导体（续）? N型半导体在本征半导体中掺入的五价元素，如P。由于五价元素很容易贡献电子，因此将其称为施主杂质。施主杂质因提供自由电子而带正电荷成为正离子。+5+5由热激发形成杂质原子提供自由电子是多子（即多数载流子）空穴是少子第13页/共66页+4+4+4+4+4+4+4+4+4问题：与本征半导体相比，N型半导体中空穴多了？还是少了？+5? N型半导体+5自由电子是多子（即多数载流子）空穴是少子第14页/共66页举例：锗原子密度为4.4×1022/cm3 ，锗本征半导ni=2.5×1013/cm3，若每104个锗原子中掺入1个磷原子（掺杂密度为万分之一），则在单位体积中就掺入了10-4×4.4×1022=4.4×1018/cm3个磷原子。 则施主杂质浓度为： ND= 4.4×1018/cm3 （比ni大十万倍）杂质半导体小结：尽管杂质含量很少（如万分之一），但提供的载流子数量仍远大于本征半导体中载流子的数量。载流子的浓度主要取决于多子（即杂质），故使导电能力激增 。半导体的掺杂、温度等可人为控制。第15页/共66页+4+4+4导带+4+4+4受主能级-------价带+4+4+4三、杂质半导体（续）? P型半导体在本征半导体中掺入的三价元素如 B。因留下的空穴很容易俘获电子，使杂质原子成为负离子。三价杂质 因而也称为受主杂质。+3+3杂质原子提供由热