1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内专利

半导体结构制作方法及半导体结构.pdfVIP

  • 2
  • 0
  • 约1.82万字
  • 约 28页
  • 2023-06-17 发布于四川
  • 举报

半导体结构制作方法及半导体结构.pdf

    本发明实施例属于半导体制造技术领域，涉及一种半导体结构制作方法及半导体结构，用于解决的接触垫容易断裂的问题。该半导体结构制作方法包括：在衬底上形成导电层，去除部分导电层以形成由多个接触垫构成的接触结构，每一接触垫与一个衬底上的晶体管结构电连接；在形成接触垫之后，通过干法蚀刻的方式去除接触垫背离衬底的顶端上的残留核心；与湿法蚀刻相比，干法蚀刻具有各向异性，在向衬底的方向蚀刻接触垫时，不会对接触垫侧壁以及接触垫侧壁所在平面的其他膜层造成破坏，也就是说，接触垫与绝缘结构背离衬底的表面之间的导电阻挡层不

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114446887 A (43)申请公布日 2022.05.06 (21)申请号 202011217685.7 (22)申请日 2020.11.04 (71)申请人 长鑫存储技术有限公司 地址 230

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >