防止金属-绝缘体-金属(MIM)电容器中铜污染的方法.pdfVIP

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  • 2023-06-17 发布于四川
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防止金属-绝缘体-金属(MIM)电容器中铜污染的方法.pdf

本发明涉及一种MIM电容器,该MIM电容器包括复合电容器顶部金属(CTM)电极和复合电容器底部金属(CBM)电极。复合CBM电极包括覆盖第一金属层的第一扩散阻挡层,以及复合CTM电极包括覆盖第二金属层的第二扩散阻挡层。介电层布置在复合CBM电极上方,并且该介电层位于复合CTM电极的下面。第一和第二扩散阻挡层保护第一和第二金属层免受金属的影响,该金属在制造期间从MIM电容器下面的金属线扩散或移动至复合CTM和CBM电极。本发明还提供了一种制造MIM电容器的方法。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113285022 A (43)申请公布日 2021.08.20 (21)申请号 202110490214.1 (22)申请日 2015.11.02 (30)优先权数据

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