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基于磁性多层膜结构的斯格明子存储器件.pdfVIP

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  • 2023-06-17 发布于四川
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基于磁性多层膜结构的斯格明子存储器件.pdf

    本申请涉及一种基于磁性多层膜结构的斯格明子存储器件。该存储器件包括：半金属层、缓冲层和铁磁层；所述缓冲层的厚度由一边向对应的对边呈线性递增或递减，使所述缓冲层与所述铁磁层的接触面，相对于与所述半金属层的接触面的倾斜度为15°‑20°，所述铁磁层的厚度由一边向对应的对边呈线性递增或递减，使所述铁磁层与所述缓冲层的接触面，相对于所述半金属层的倾斜度为15°‑20°，所述铁磁层的表面相对于所述半金属层的倾斜度为10°‑15°，所述半金属层采用的材料为Weyl半金属，可以增加磁性作用，并产生室温下稳定的

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113285017 B (45)授权公告日 2022.08.05 (21)申请号 202110442700.6 (56)对比文件 (22)申请日 2021.04.23

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