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- 2023-06-17 发布于四川
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本发明的目的在于提供半导体装置，其适于低成本化，不使RBSOA等的破坏耐量降低，能够降低FWD动作时的恢复损耗。具有：FWD区域，其形成于基板，在该基板的上表面侧具有p型阳极区域、p型杂质浓度比该p型阳极区域高的第一p型接触区域、第一沟槽；IGBT区域，其形成于该基板，在俯视观察时隔着边界区域将该FWD区域包围，在该基板的上表面侧具有n型发射极区域、第二p型接触区域、第二沟槽；以及外周区域，其在俯视观察时将该FWD区域、该边界区域和该IGBT区域包围，该第一沟槽在俯视观察时沿该FWD区域的外缘形
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114512439 A
(43)申请公布日 2022.05.17
(21)申请号 202111332602.3
(22)申请日 2021.11.11
(30)优先权数据
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