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一种正装GaN HEMT-LED光电集成芯片.pdfVIP

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  • 2023-06-25 发布于四川
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一种正装GaN HEMT-LED光电集成芯片.pdf

    本发明属于半导体制造技术领域，公开了一种正装GaNHEMT‑LED光电集成芯片。本发明的芯片包括HEMT区域和LED区域，使用MOCVD技术二次外延将HEMT和LED进行单片集成，依托于HEMT控制输出作用，选择LED结构作为二次外延生长的对象，使得在集成芯片中HEMT外延结构生长质量得到保证，减小了泄漏电流的产生，在尺寸不变的情况下能够输出更大的稳定饱和电流。另外器件之间形成金属接触而不是非金属接触，虽然增加了额外连接电阻，但是电流得到了进一步的扩散。相比较现有技术，该芯片在尺寸大小不变，栅压

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116314185 A (43)申请公布日 2023.06.23 (21)申请号 202310225461.8 (22)申请日 2023.03.10 (71)申请人 天津工业大学 地址 300387

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