4——4半导体三极管.docx

PAGE PAGE 1 / 7 课程名称：焊接电工（焊接专业）第二版 第 4 节半导体三极管电子教案 课 4.4 课时题 编 写 年 月 日 授课 日 教师 期 授课专业班次 日期 编号 NO——004 2 阴元河 年 月 日教 1. 掌握半导体的制作原理 学 2. 掌握半导体三极管的电流放大作用 目标 教 半导体三极管的电流放大作用学 重点 教 半导体三极管的电流放大作用学 难点教 学 新课 教具 第 周 星期 第 节 多媒体 白板 课 器材 型 三极管的结构 半导体三极管也称为双极型半导体三极管，它的结构示意图如图 1.15 所示。 教学组织与过程 图 1.15 半导体三极管，它的结构示意图 它有两种类型：NPN 型和 PNP 型。中间部分称为基区，相连 课程名称：焊接电工（焊接专业）第二版 课程名称：焊接电工（焊接专业）第二版 PAGE PAGE 3 / 7 电极称为基极，用 B 或 b 表示（Base）； 一侧称为发射区，相连电极称为发射极，用 E 或 e 表示 （Emitter）；另一侧称为集电区和集电极，用 C 或 c 表示 （Collector）。 E-B 间的 PN 结称为发射结（Je）， C-B 间的 PN 结称为集电结（Jc）。 双极型三极管的符号在图的下方给出，发射极的箭头代表发射极电流的实际方向。从外表上看两个 N 区(或两个 P 区)是对称的，实际上发射区的掺杂浓度大，集电区掺杂浓度低，且集电结面积大。基区要制造得很薄，其厚度一般在几个微米至几十个微米。 三极管的放大作用和载流子的运动 双极型半导体三极管在工作时一定要加上适当的直流偏置电压。若在放大工作状态：发射结加正向电压，集电结加反向电压。现以 NPN 型三极管的放大状态为例，来说明三极管内部的电流关系， 见图 1.16。 发射结加正偏时，从发射区将有大量的电子向基区扩散，形 成的电流为 I 。与PN 结中的情况相同。从基区向发射区也有空 EN 穴的扩散运动，但其数量小，形成的电流为 I 。这是因为发射 EP 区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度。 讲 授 内 容 图 1.16 双极型三极管的电流传输关系 进入基区的电子流因基区的空穴浓度低，被复合的机会较少。又因基区很薄，在集电结反偏电压的作用下，电子在基区停留的时间很短，很快就运动到了集电结的边上，进入集电结的结  半 导 体三极管也称双极型晶体管，晶体三极管，简称三极管，是一种电流控制电流的半导体器件。 电场区域，被集电极所收集，形成集电极电流 I 。在基区被复 CN 合的电子形成的电流是 I 。 BN 另外，因集电结反偏，使集电结区的少子形成漂移电流 I 。 于是可得如下电流关系式： CBO I = I ＋ I 且有 I I E EN EP EN EP I =I + I 且有 I I ， I I EN CN BN I =I + I EN BN I =I + I －I CN BN C CN CBO B EP BN CBO I =I +I =I +I +I =(I +I )+(I +I －I )=I +I E EP EN EP CN BN CN CBO BN EP CBO C B 由以上分析可知，发射区掺杂浓度高，基区很薄，是保证三 极管能够实现电流放大的关键。若两个 PN 结对接，相当基区很厚，所以没有电流放大作用，基区从厚变薄，两个 PN 结演变为三极管，这是量变引起质变的又一个实例。 三极管的特性曲线 本节对共发射极接法三极管的特性曲线进行讨论。共发射极接法的供电电路和电压电流关系如图 1.17 所示。 讲 授 内 容 输入特性曲线 简单地看，输入特性曲线类似于发射结的伏安特性曲线，现 B BE讨论 i 和 u 之间的函数关系。因为有集电结电压的影响，它与一个单独的 PN 结的伏安特性曲线不同。 为了排除 UCE B BE CECE在讨论输入特性曲线时，应使 u =const(常数)。u 的影响， CE CE CE可以用三极管的内部的反馈作用解释，即 u CE 对 iB 的影响。 图 1.17 共发射极接法的电压电流关系 -CECBBE共发射极接法的输入特性曲线见图 1.18。其中 u - CE CB BE =0V 的那 CE一条相当于发射结的正向特性曲线。当 u CE ≥1V 时，u = uCE u 图 1.18 共发射极接法输入特性曲线 0，集电结已进入反偏状态，开始收集电子，且基区复合减少， C B CEI / I 增大，特性曲线将向右稍微移动一些。但u 再增加时， C B CE 输入特性曲线的分区：死区、非线性区、线性区。 输出特性曲线 共发射极接法的输出特性曲线如图 1.19 所示，它是以 iB 为