重掺磷直拉硅单晶电阻率控制技术研究（电力系统及自动化论文资料）.docVIP

重掺磷直拉硅单晶电阻率控制技术研究（电力系统及自动化论文资料） 目录 TOC \o 1-9 \h \z \u 目录 1 正文 1 文1：重掺磷直拉硅单晶电阻率控制技术研究 1 （公式1） 4 m=公式3 5 文2：直拉单晶硅生长和工艺研究 8 一、直拉单晶硅生长工艺 8 二、磁场对直拉单晶的质量影响 9 三、结论与展望 10 参考文摘引言： 11 原创性声明（模板） 11 正文 重掺磷直拉硅单晶电阻率控制技术研究（电力系统及自动化论文资料） 文1：重掺磷直拉硅单晶电阻率控制技术研究 1引言 电阻率小于0.0015Ω?cm的N型硅单晶材料属于小众型特殊规格电子材料，目前仅一些高端的小型化、智能化功率器件上有应用，市场上该种产品很少。受限于N型杂质在硅单晶中的固溶度和组分过冷现象，在0.002～0.005Ω?cm的电阻率范围内一般选用重掺砷硅单晶【1】，在电阻率低于0.0015Ω?cm的电阻率范围内只能用重掺磷硅单晶。这种电阻率范围重掺磷单晶中磷的掺入量已接近其掺杂极限，由于磷的蒸汽压相当大，磷在熔化及晶体生长过程中会从液面大量挥发掉，导致电阻率上浮，电阻率控制极其困难。 2实验方法 本实验的单晶生长设备为国产TDR-62B型直拉硅单晶炉，多晶硅原料的称重采用由计量站有效计量过的仪器称重并进行质量控制，掺杂剂为高纯红磷，称重使用精度为0.001g的物理天平量取。 由于红磷的高温挥发性很强，所以不能将磷粉同多晶硅一起装入石英坩埚中加热，这样可能在多晶硅熔化过程就已经挥发殆尽，挥发的磷蒸汽又随着循环氩气被排出炉室，排出过程中随着温度的逐步降低而凝固在管道中造成安全隐患。因此本实验的杂质（红磷）掺杂方式为后掺杂，即多晶硅融化后再进行掺杂。融化后将主副室隔离阀关闭，通过自制的硅材料特殊容器装载红磷掺杂剂，通过容器与掺杂剂的同时熔入来实现掺杂。 磷含量的测量采用电阻率推算的方式，即重掺磷硅单晶制备成功后，采用四探针电阻率测试仪对单晶轴向电阻率进行测试，对照GBT13389掺硼掺磷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程将电阻率转换成杂质浓度。 3结果与讨论 试验共进行了五个炉次，生长单晶直径均为4英寸，晶向均为方向，原始多晶投料全部为7Kg，工艺条件其他变量及头尾电阻率测试情况如表1所示。开炉总时长为从杂质掺入至停炉整个过程所用的总时间。 表1试验工艺条件及结果 炉号投料量 Kg掺磷量 g炉内压力 MP开炉总时长 h头部电阻率 10-3Ω·cm尾部电阻率 10-3Ω·cm .5102.53.2 .58.51.72.0 .091.51.6 .581.31.2 .5121.43.0 从表1生长单晶的电阻率的数据中可以看出，电阻率并没有遵循现有的分凝理论。 从原理上分析，磷在硅中的分凝系数为0.35左右，在重掺磷硅单晶生长过程中，部分磷杂质被结晶界面排斥积聚在熔体中形成溶质边界层δ，正常情况下晶体生长过程中磷杂质浓度分布应该如图1所示，固液界面处杂质（磷）浓度最高，杂质向后分凝，随着单晶生长的进行，熔体内杂质浓度越来越高，表现出所生长出来的单晶电阻率轴向从头到尾逐渐降低。根据晶体生长过程中杂质分凝原理，杂质在晶体中的轴向分布会满足公式1的规律： （公式1） 式中，Сs—晶体磷元素浓度； С0—熔硅初始磷元素浓度； keff—磷元素在硅中的有效分凝系数为0.35，与拉晶速度有关； g—结晶速率。 图1固液界面处的溶质分布 按照这一理论计算，同一棵单晶尾部杂质浓度应该远远高于头部，因此电阻率测量后尾部电阻率应该只有头部的0.35倍左右，而对于我们实验所涉及的重掺磷超低阻硅单晶，电阻率轴向变化完全没有遵循这一分凝规律。 表2为杂质磷掺入量的理论计算情况和实际情况对比，单晶生长前目标电阻率为1.5×10-3Ω·cm，理论掺入量是根据目标电阻率计算得到，我们用头部电阻率对应的杂质浓度来表征硅熔体内初始掺入磷杂质的浓度。每炉的多晶硅投入量为7Kg。 表2杂质磷掺入量的理论计算情况和实际情况对比 炉号目标电阻率 10-3Ω·cm目标杂质浓度 atm·cm-3理论掺入量 g实测头部电阻率 10-3Ω·cm对应杂质浓度 atm·cm-3有效掺入量 10-3Ω·cm工艺投入量 g 621-09011.54.74E197.332.52.73E194.2225 621-09021.54.74E197.331.74.14E196.4030 621-09031.54.74E197.331.54.74E197.3330 621-09041.54.74E197.331.35.53E198.5530 621-09051.54.74E197.331.45.11E197.9130 本文中理论掺杂剂质量m的计算按照公式3进行计算：