一种适用于可见光通信的并联阵列LED芯片及其制备方法.pdfVIP

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2023-06-29 发布于四川
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一种适用于可见光通信的并联阵列LED芯片及其制备方法.pdf

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一种适用于可见光通信的并联阵列LED芯片及其制备方法，属于可见光通信技术领域；包括从下到上依次连接的导电衬底、键合金属层、第一绝缘层、p接触反射镜金属及保护层和发光有源区，发光有源区包括P电极和多个阵列分布的发光有源单元，相邻的发光有源单元之间设有刻蚀通道，每个发光有源单元均包括功能层和至少一个柱状N电极，所述功能层包括p型GaN层、InGaN/GaN多量子阱层和n型GaN层，所述柱状N电极位于所述功能层的内部，所述柱状N电极的顶部与所述n型GaN层欧姆接触，所述柱状N电极的底部键合金属层形成电

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113690355 A (43)申请公布日 2021.11.23 (21)申请号 202110745846.8 (22)申请日 2021.07.01 (71)申请人河源