半导体物理与器件复习.docx

一、选择填空 非平衡载流子寿命公式 ?p ?t ? ? ?p ? t e?0 e ? 本征载流子浓度公式 p 83 n2 ? N N  exp[ (E c E ) v ] ? N N  exp[ E g ] n ? n ? N  exp[ (E c E ) Fi ] i c v kT c v kT 0 i c kT n 为本征半导体中电子浓度， E 为禁带宽度 i g 本征半导体概念 把晶体中不含有杂质原子的材料定义为本征半导体。p 89  〔纯洁的单晶半导体称为本征半 导体 p 〕 87 半导体功函数概念：功函数是指真空电子能级E 与半导体的费米能级E 之差。 0 F 单位晶胞中原子占据的百分比，原子的数目 N 型半导体，P 型半导体的概念 P87 N 型半导体：由于施主杂质原子增加导带电子，但并不产生价带空穴，此时的半导体称为 N 型半导体； P 型半导体：受主杂质原子能在价带中产生空穴，但不在导带中产生电子，我们称这种半导体为P 型半导体。 载流子的迁移率和集中系数，爱因斯坦关系式，影响载流子的迁移率的因素，两种散射机 制 影响迁移率的主要因素有能带构造〔载流子有效质量〕、温度和各种散射机构。两种散射: 晶格散射〔声子散射〕和电离杂质能散射。 PN 结击穿的类型，机制：P186 雪崩击穿 齐纳击穿 金属、半导体、绝缘体的本质区分，半导体的几种类型 绝缘体的电阻率格外大，而与之对应的电阻率则格外小，其本质是没有用来形成漂移电流的粒子，绝缘体的带隙能量Eg 通常为 3.5~6eV. 空间电荷区：冶金结两侧由于n 区内施主电离和p 区内受主电离而形成的带净正电与负半导体的电阻率是可调的，它可以变化几个数量级，其带隙能量大约为1eV. 空间电荷区：冶金结两侧由于n 区内施主电离和p 区内受主电离而形成的带净正电与负 1. 电的区域。 电的区域。 p 193 存储时间：当 pn 结二极管由正偏变为反偏时，空间电荷区边缘的过剩少子浓度由稳态值变成零所用的时间。 p231 费米能级：用简洁的话说，该能量在T=0K 时高于全部被电子填充的状态的能量，而低于所 有空状态能量。 p 72 级。准费米能级：在非平衡状态下，由于导带和价带在总体上处于非平衡，因此就不能用统一的费米能级来描述导带中的电子和价带中的空穴按能量的分布问题。但由于导带中的电子和价带中的空穴按能量在各自的能带中处于准平衡分布，可以有各自的费米能级称为准费米能 级。 肖特基接触：金属和半导体材料相接触的时候，在界面处半导体的能带弯曲，形成肖特基势垒。势垒的存在才导致了大的界面电阻。 欧姆接触:金属与半导体接触时，其接触面的电阻值远小于半导体本身的电阻，使得组件操 作时，大局部电压降位于活动区，而不是接触面。〔金属半导体接触电阻很低，且在结两边都能形成电流的接触。 p 〕 261 本征半导体：把晶体中不含有杂质原子的材料定义为本征半导体。p 〔纯洁的单晶半导 89 体称为本征半导体 p 〕 87 非本征半导体：进展了定量施主或受主掺杂，从而使电子浓度或空穴浓度偏离本征载流子产 生多数载流子电子〔 生多数载流子电子〔n 型〕或多数载流子空穴〔p 型〕的半导体。 p 107 〔将掺入了定量的 特定杂质原子，从而将热平衡状态电子和空穴浓度不同于本征载流子浓度的材料定义为非本 特定杂质原子，从而将热平衡状态电子和空穴浓度不同于本征载流子浓度的材料定义为非本 征半导体。 p 〕 89 简并半导体：电子或空穴的浓度大于有效状态密度，费米能级位于导带中〔n 型〕或价带中 〔 〔p 型〕的半导体。 p 107 非简并半导体：向半导体中参加杂质原子时，假设杂质会在 n 型半导体中引入分立的，无相互作用的施主能级，而在 p 型半导体中引入分立的，无相互作用的受主能级。此类半导体就称为非简并半导体。 直接带隙半导体：导带边和价带边处于k 空间一样点的半导体通常被称为直接带隙半导体。间接带隙半导体:导带边和价带边处于k 空间不同点的半导体通常被称为间接带隙半导体。 电子有效质量：该参数将晶体导带中电子的加速度与外加的作用力联系起来，它包含了晶体中的内力。 p72 雪崩击穿：由空间电荷区内电子和/或空穴与原子电子碰撞而产生电子-空穴对时，创立较大 反偏 pn 结电流的过程。 p 193 单边突变结:冶金结一侧的掺杂浓度远大于另一侧的掺杂浓度的pn 结。 p 193 双极输运：具有一样集中系数、迁移率和寿命的过剩电子和空穴的集中、迁移与复合的过程。 p 165 2.什么是单边突变结？为什么pn 结低掺杂一侧的空间电荷区较宽？ 单边突变结：冶金结一侧的掺杂浓度远大于另一侧的掺杂浓度的pn 结。 由于在耗尽层近似下可认为p-n 结中的空间电荷就是电离杂质中