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第39卷 第2期 电工 电能新 技 术 Vol.39,No.2 2020年2月 Advanced Technology of Electrical Engineering and Energy Feb. 2020 650V eGaN HEMT短路特性研究 1 1 1 1 2 张　 英 ,秦海鸿 ,彭子和 ,修　 强 ,荀　 倩 (1. 多电飞机电气系统工业与信息化部重点实验室,南京航空航天大学,江苏 南京211106; 2. 查尔姆斯理工大学,瑞典 哥德堡999034) 摘要:增强型GaN HEMT(eGaN HEMT)可以大幅提升变换器的效率和功率密度,具有广泛的应用 前景。 但实际应用中由桥臂串扰引起的误导通,以及负载侧短路等都会导致eGaN HEMT 流过较 大的电流。 因此,为了确保eGaN HEMT在过载、短路等工况下安全可靠工作,必须深入探究eGaN HEMT 的短路工作原理