第28讲-功率MOSFET之结构和基本特性.pptx

关艳霞于2023年2月 功率半导体器件（第28讲） 功率MOSFET之结构和基本特性 第28讲 功率MOSFET之结构和基本特性 1、功率MOSFET 结构 普通MOSFET结构 LDMOS 结构 1)横向MOSFET结构 普通横向MOSFET，不利于耐压的提高（易造成沟道穿通），不适合制作功率器件。 LDMOSFET，解决了易沟道穿通的问题，但仍不适合制作功率器件，因为表面利用率低。但可作为集成电路中的高压MOSFET。 V-MOSFET VD-MOSFET 2)垂直MOSFET结构 功率MOSFET起始于V-MOSFET，但由于氢氧化钾腐蚀工艺和V形槽尖端的电场集中使其仍不适合制作功率MOSFET的制作。 VD-MOSFET，解决了V-MOSFET的问题，但存在JFET电阻，仍有待发展。 UMOSFET 超级结MOSFET 2)垂直MOSFET结构 U-MOSFET消除了JFET电阻，有效降低了低耐压器件的导通电阻，但对高耐压器件导通电阻的降低有限。 超级结MOSFET通过电荷耦合效应，改善了电场分布，通过降低芯片厚度实现高压器件导通电阻的降低。 2、功率MOSFET的基本特性（V-MOSFET，VD-MOSFET，U-MOSFET） 无论这三种结构的哪一种结构，源和漏之间都包含了两个背靠背的PN结，但源和P基区之间的PN结被短路了，因此，功率MOSFET只在第一象限能承受高耐压，在第三象限为正偏PN结特性。以VDMOSFET为例讨论其特性。 1）漏极电压较小时的I-V特性 当栅电压较小时，其V-I特性为一个受控于栅压的电阻特性。随着栅压的增加，栅压对电阻的控制能力减弱。 当栅压较小时，导通电阻以沟道电阻为主，受控于栅压。当栅压较大时，沟道电阻以漂移区电阻为主，不受栅压控制。总电阻不随栅压增加而减小。 为什么？ 2）漏极电压较大时的I-V特性 功率MOSFET的漏源电压为负时，呈现的是二极管的正向特性。如果同时在栅极施加正栅压大于阈值电压时，即使漏源电压小于pn结开启电压，也有漏电流出现，且随着栅压增加而增加。可用于同步整流。 3）反向特性 3、超级结MOSFET的基本特性