功率半导体器件 课件 第34讲-IGBT之饱和特性.pptx

关艳霞于2023年2月 功率半导体器件（第34讲） IGBT之饱和特性 第34讲 IGBT之饱和特性 随着Ic的增加，MOSFET的沟道压降增加，当沟道压降大于饱和电压时，MOSFET进入饱和区，不再随电压的增加而增加，继续增加的电压由J2结承担，IGBT集电极电流由两部分构成，MOSFET成分（In，MOSFET的漏极电流）和PNP晶体管成分（Ip），In是PNP晶体管的基极电流。 1、 IGBT饱和物理机制 2、 双极晶体管/MOSFET模型 什么是擎住效应？ 3、 擎住（Latch-Up，拴锁）效应 正常工作的IGBT，最大电流受控于门极电压，不会发生电流失控的现象。但IGBT中寄生着PNPN四层晶闸管结构，一旦晶闸管导通，电流就不再受控于门极电压了，门极失去了控制作用，这就是擎住效应。 为什么会发生擎住效应呢？ 当IGBT进入饱和区之后，其电流包含两个成分，其中一部分双极电流成分要横向流过N+发射区下面的P基区，所产生的横向压降大于J3结开启电压时，晶闸管就导通了，擎住效应就发生了。 怎样抑制发生擎住效应发生呢？ 减小N+发射区下面的P基区横向电阻，如深P+扩散和减小N+发射区条宽。 1）结构对比 4、 功率MOSFET、双极晶体管和IGBT的比较 IGBT大于双极晶体管大于功率MOSFET。 2）传导电流能力对比 功率MOSFET高于IGBT高于双极晶体管 3）开关速度比较 4）功率能力比较 IGBT高于双极晶体高于功率MOSFET