功率半导体器件 课件 第32讲-IGBT之阻断电压.pptx

关艳霞于2023年2月 功率半导体器件（第32讲） IGBT之阻断电压 第32讲 IGBT之阻断电压 1、 对称IGBT的正向阻断电压 当VAK＞0时，J2结反偏，门极与阴极短路，J2结的耗尽层的扩展主要在N基区。其击穿电压由基极开路晶体管（P+-N-P）确定。 通过合理设计N基区的掺杂浓度、厚度可以获得所希望的转折电压。设计思路是：在一定的转折电压下，当N基区的少子寿命一定时，有很多组ND与WN的组合能满足要求，但只有一组的N基区宽度最小，即所谓优化设计。 1200V对称IGBT最佳漂移区宽度和掺杂浓度（少子寿命为10μs） 第30讲 IGBT之阻断电压 2、 对称IGBT的反向阻断电压 当VAK＜0时，IGBT的反向阻断能力由J1结承担。J1结的耗尽层的扩展主要在N基区。其击穿电压由基极开路晶体管（P+-N-P）确定。因此正反向阻断电压近似相等。 第30讲 IGBT之阻断电压 3、 非对称IGBT的正向阻断电压 第30讲 IGBT之阻断电压 4、 非对称IGBT的反向阻断电压 5、 总结 IGBT阻断电压由N漂移区参数决定（不包括非对称反向阻断电压），通过合理设计该区域的参数理论上就能实现所要求的阻断电压。