功率半导体器件 课件 第26讲-GTO.pptx

第26讲 GTO 1、什么是GTO GTO的全称：Gate Turn-off Thyristor（门极可关断晶闸管）。顾名思义，GTO依然是晶闸管（4层结构），但可以用门极关断。普通晶闸管不能用门极关断，属于半控型开关器件，GTO为全控型开关器件。 GTO的表示符号 2、为什么普通晶闸管不能用负门极电流关断？ 用双晶体管模型进行分析，给出的结论是：只要负门极电流足够大，可以用负门极电流进行关断。而实际情况是不能，为什么？ 2、为什么普通晶闸管不能用负门极电流关断？ 普通晶闸管，阴极条宽（厘米数量级），因此所施加的负门极电压不能使整个阴极的J3结停止注入（所施加的负门极电压要小于J3结的雪崩击穿电压，P2区横向电阻的存在），因此负门极电压只能造成电流挤压，而不能关断。 3、GTO的结构和特性 1）结构特点：GTO的结构特点有二：一是从横向来看，GTO是有许多个相同的小晶闸管并联组成，每个小晶闸管的两侧都设置门极，使门极电压能够波及到整个阴极面，所有的小晶闸管的阳极是公用的。二，从纵向来看，构成GTO的两个晶体管工作在临界饱和状态。 3、GTO的结构和特性 1）对称结构 2）非对称结构 3）特性曲线 4、GTO的基本关断理论 在正向偏置状态下，晶闸管的工作状态决定于J2结的状态。下面来观察一下J2结的极性变换。 （因为P2区是pnp晶体管的集电区） 在P2区，单位时间复合掉的电荷为 （因为P2区还是npn晶体管的基区） P2区单位时间净正电荷增量为 同理可得n1区单位时间内净负电荷增量为 4、GTO的基本关断理论 在门极施加负的门极电流IG，即让空穴通过门极流出P基区。根据基尔霍夫定律，则有： J2结的反注入效率应降低为 如果J2结由正偏转为反偏，反注入效率会下降到0，即 于是可得关断条件为 关断增益 5、理想条件下GTO的关断波形 1）阶段1（t=0-t2）：依然维持导通，但基区电荷量在负门极电流作用下减小。 2）阶段2（t=t2- t3）：J2结开始反偏，但J3结依然正偏 3）阶段3（t=t3- t4）：续流二极管D开始导通。 4）阶段4（t=t4- t5）：iK为负值，以使得J3结反偏 5）阶段5（t=t5- t6）：J3结反偏 6）阶段6（t=t6- t7）：t6时iK为0，t7时关断结束。 在关断过程中，没有考虑横向尺寸对关断特性的影响。 6、实际GTO的关断 由于横向尺寸的影响，即要考虑P2区横向电阻对门极电流的影响。不同区域的门极电流不同。采用用小晶闸管并联的方法来解释这种现象。 第1个小晶闸管的门极电流 第2个小晶闸管的门极电流 第3个小晶闸管的门极电流 第n个小晶闸管的门极电流 结论：实际GTO在关断过程中存在电流挤压现象。 7、如何解决电流重新分布问题？ 1）窄阴极条可一定程度解决电流挤压现象，但现有的封装工艺使尺寸受到限制。 2）从电路上解决，增加dv/dt和di/dt缓冲器，这使得整机体积、重量和成本增加。 3）需要更有效的解决办法——GCT、IGCT就此产生了。