半导体二极管的基本应用.pptxVIP

半导体二极管的基本应用第1页/共17页第2页/共17页u2?tO?2?3?+uo?D1D4iouOu2u1RLD3D2?tO?3?2?iD= iOIm?tD1OD4?2?3?+uo?uDu2u12??RL3??tOD3D21.3.1 单相桥式整流滤波电路一、单相桥式整流1. 工作原理输入正半周+uo?输入负半周第3页/共17页2. 负载上直流电压 UO 和直流电流 IO 的计算3. 二极管参数的计算二极管平均电流 二极管最大反向压第4页/共17页iOiO+?+?+?+?iD1+?u2u1u2+?uOu1uOiO+?+?u2u1+?uO表1.3.1 各种单相整流电路的比较单相半波单相全波单相桥式电路原理图输出直流电压UO0.45U20.9U20.9U2二极管平均电流IDIO0.5IO0.5IO最高反压 UDRM优点结构简单输出波形脉动小输出波形脉动小二极管承受反压小缺点输出波形脉动大输出电压低，二极管承受反压高变压器要求有抽头需要四只二极管第5页/共17页例 1.3.1 一单相桥式整流电路，要求UO= 40V， IO= 2A，220V交流电源，试选择整流二极管。解：变压器副边电压有效值为二极管承受最高反压为二极管的平均电流为URM = 100 V可选择 2CZ56CIFM = 3 A第6页/共17页~二、 硅整流组合管外形表1.4.2 几种硅整流组合管的典型参数 参数型号IFM/AUDRM/VIR/?AUF/VQL20.0525~1000? 10? 1.2QL20.2QL30.5QL45? 20第7页/共17页CioD4D1 + uo= uc ?+u??RLD3D2三、滤波电路1. 电容滤波电容充电电容放电（1）工作原理V 导通时给 C 充电，V 截止时 C 向 RL 放电；滤波后 uo 的波形变得平缓，平均值提高。第8页/共17页uOO?2??t（2）波形及参数计算RL = ?当 RL = ? 时：输入交流电压的周期当 RL 为有限值时：RC 越大 UO 越大当满足：UO = (1.1 ~ 1.2) U2I2 = (1.5 ~ 2) IO变压器副边绕组电流有效值第9页/共17页UOOIO（3）输出特性 输出电压随输出电流的增大而明显降低，带负载能力差。 一般用于负载电流较小且变化不大的场合。电容滤波：优点：电路简单，输出直流电压较高，纹波较小。缺点：带负载能力差。第10页/共17页[例 1.3.2]要求直流输出电压 UO = 24 V， IO= 120 mA，220V的交流电源频率 f = 50 Hz，采用单相桥式整流电容滤波，选择元件。 解1. 电源变压器参数计算2CZ53B:IF = 0.3 AURM = 50 V变压器变比：变压器副边电流：I2= 2IO= 2?120 mA= 240 mA硅堆QL3:0.2 A, 50 V2. 整流二极管选择二极管平均电流：承受最高反压：3. 选滤波电容电解电容:200 ?F耐压 50 V 第11页/共17页ioLD4D1 + uo ?+u1?+u2?RLD3D22. 电感滤波整流后的输出电压：直流分量被电感 L 短路交流分量主要降在 L 上优点：频率越高，L 越大， RL越小，滤波效果越好。缺点：电感铁心笨重、体积大。适用于负载电流较大且负载变化大的场合。第12页/共17页2. 复式滤波RC? 型LC复式滤波? 型LC第13页/共17页表1.4.3 各种滤波器的比较类型电容滤波电感滤波RC - ?型LC - ?型LC - ? 型UO? 1.2 UO? 1.2 UO? 1.2 UO? 1.2 UO? 0.9 UO二极管冲击电流大小大大小带载能力差强差差强适用场合小电流大电流小电流小电流大/小电流其它特点电路简单电感笨重成本高脉动成分减小，但 R 上有直流压降脉动成分减小，但电感笨重成本高脉动成分减小，适应性较强，但有电感第14页/共17页2CL512CGLDH261.3.2 硅高压整流堆 (高压硅堆) 简介多个高压硅整流二极管串联后封装而成1. 结构2. 外形3. 用途要求承受高反压的场合,如静电喷漆、除尘等表1.4.4 几种高压硅堆的主要参数 参数型号IFM/mAURM/VUF/V IR/?ATjM/°C2CG10~20210 ~ 20? 20 ~40? 2 1002DGL1A512 ~ 30? 20 ~5010125第15页/共17页u2 正半周，D1导通, C1充电至u2 负半周，D2导通, C2充电至u2 再次正半周，D1 ,D3导通, C1充电至,C3充电至u2再次负半周，D2 ,D4导通, C2充电至,C4充电至4. 倍压整流电路倍压整流电路只适于负载电流很小的场合第16页/共17页RD1D2uiuOUC1UC2uiUC1tO–UC2uOUC1tO–UC21