薄膜制备技术演示文稿.pptVIP

磁控溅射方法典型的工作条件为： 工作气压0.5 Pa，靶电压600 V，靶电流密度20 mA/cm2，薄膜沉积速率2 ?m/min。 Parameters for Magnetron Sputtering Deposition pressure : 10-3 to 0.1 Pa ( 10-5 to 10-3 torr) Deposition rate : 0.2 ~ 2 ?m/min (10 times higher than conventional sputtering) Deposition temperature : 100 to 150 oC 当前第62页\共有130页\编于星期六\10点 当前第63页\共有130页\编于星期六\10点 设备名称：三靶多功能磁控溅射仪 磁控溅射镀膜机 当前第64页\共有130页\编于星期六\10点 实际的操作中常常需要进行化合物薄膜的制备，例如TiN、Al2O3、TiAlN等，在采用溅射法制备化合物薄膜时，可以考虑直接使用化合物作为溅射靶材。然而这里存在一个问题。我们知道，利用蒸发法制备化合物或合金薄膜时，常常要考虑薄膜成分偏离蒸发源成分的问题，也就是说，在化合物的蒸发过程中，蒸发出来的物质蒸气可能具有完全不同于固态或液态化合物的化学成分，可想而知，当这些蒸气在基体表面凝结成膜后，其成分将与原蒸发物质产生偏离。溅射化合物靶材