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X三极管及基本放大电路解读第1页/共100页第2页/共100页CC集电区集电区NP集电结集电结基区基区BBPN发射结发射结NP发射区发射区EENPN型PNP型§9.1 双极型晶体管(三极管)一、三极管的结构与电路符号发射载流子作用E区：掺杂浓度高；B区：掺杂浓度低，薄；C区：掺杂浓度低，尺寸大；控制载流子作用收集载流子作用第3页/共100页CCCC集电区集电区BBTTNP集电结集电结基区基区BBNPEE发射结发射结PN发射区发射区PNP型NPN型EENPN型PNP型电路符号符号中的箭头方向表示发射结正向偏置时的电流方向。第4页/共100页ECIIECBBIICEECCEIIBBBIIIBEC(a) (b) (c) 共基极共发射极共集电极二、三极管的电流分配与放大作用三极管有两个PN结，三个极，需两个电源，则必有一个公共端。三极管的三种连接方式： 第5页/共100页RCICIBRBECIEEB1、三极管实现放大作用的外部条件是：发射结正向偏置, 集电结反向偏置。对NPN: VCVBVE对PNP: VCVBVE第6页/共100页RCICIBRBECIEEB由实验数据可得如下结论:1) IE=IB+IC(KCL)IB ICIB IE?IC ? IE?IB (IB的微小变化) ?IC 变化大共射极交流电流放大倍数第7页/共100页ICCIICBOCENRcIBBIBEP＋略RUbCCN－＋UBBE－IE内部条件：2、三极管内部载流子的运动E区：掺杂浓度高；B区：掺杂浓度低，薄；C区：掺杂浓度低，尺寸大；漂移运动本征激发电场力作用非平衡少子漂移运动扩散运动1）发射区向基区发射电子的过程 2）电子在基区的扩散和复合过程 3）电子被集电区收集的过程第8页/共100页ICCIICBOCENRcIBBIBEP值一般在20~200之间＋RUbCCN－＋其含义是：基区每复合一个电子，则有 ?个电子扩散到集电区去。UBBE－IE电流分配关系对于PNP管,三个电极产生的电流方向正好和NPN管相反为了反映扩散到集电区的电流ICE与基区复合电流IBE之间的比例关系，定义共发射极直流电流放大系数为： 第9页/共100页特征：1）IB控制IC，（ ）0 UCE UCC(UCES)三、三极管的工作状态1、放大状态条件：发射结正偏，集电结反偏。2）UCE=UCC-RCIC3)三极管相当于通路第10页/共100页IBICUCE=UCC-RCICRBUBEIB2）饱和状态条件：发射结正偏，集电结正偏。当UC ? 0最大值故 IB再增大， IC 亦不能增大了特征：1）IC不变（失去控制能力）2）UCE ?03) T相当于短路第11页/共100页3）截止状态条件：发射结反偏，集电结反偏。特征：1）IB=0，IC=02）UCE=UCC3) T相当于开路第12页/共100页四、三极管的特性曲线三极管的特性曲线是指各电极间电压和电流之间的关系曲线。以共射为例。1、输入特性曲线2、输出特性曲线第13页/共100页uCEuCE01＝≥m / AiB1008025℃6040200 / V0.20.40.60.8uBE1、输入特性曲线当uCE =0时，晶体管相当于两个并联的二极管死区电压当UCE≥1V时，输入特性曲线右移当UCE≥1V的输入特性曲线基本重合第14页/共100页 / mAiC饱和区1008060放大40区20m＝0 AiB / Vu0246810CE截止区2、输出特性曲线输出特性曲线分为三个区:1) 截止区2) 放大区3）饱和区第15页/共100页 / mAiC饱和区1008060放大40区20m＝0 AiB / Vu0246810CE截止区1)截止区:IB= 0, IC = ICEO ? 0集射极反向电流(穿透电流)UBE死区电压便进入截止区条件：发射结反偏，集电结反偏。UBE ? 0第16页/共100页 / mAiC饱和区1008060放大40区20m＝0 AiB / Vu0246810CE截止区条件：发射结正偏，集电结反偏。2)放大区:水平部分:电流放大作用——线性区uCE在很大范围内变化时IC基本不变。因此，当IB一定时，集电极电流具有恒流特性。 第17页/共100页 / mAiC饱和区1008060放大40区20m＝0 AiB / Vu0246810CE截止区条件：发射结正偏，集电结正偏。3）饱和区（IC不受IB控制）失去电流放大作用第18页/共100页例1：分别判断图示各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态。对NPN: VCVBVE对PNP: VCVBVE（a）可能（b）可能（c）不能（e）可能解：（d）不能，T的发射结会因电流过大而损坏。第19页