原创力文档- 1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
- 2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
;;概述;选择比
（Selectivity）;保真度;概述
均匀性;均匀性
假设要腐蚀薄膜平均厚度为h，硅片上各处厚度变化因子0≤δ≤1设腐蚀平均速度为V，腐蚀速率变化因子0＜ξ＜1;一、 概述;;;湿法刻蚀;硅的湿法刻蚀;湿法腐蚀特点
湿法腐蚀工艺简单，无需复杂设备
保真度差，腐蚀为各向同性，A=0，图形分辨率低
选择比高
均匀性好
清洁性较差;湿法刻蚀参数;1;硅的各向异性腐蚀技术;常用体硅腐蚀液：
氢氧化钾(KOH)系列溶液；
EPW(E：乙二胺，P：邻苯二酚，W：水)系列溶液。;2;3;5;一、 概述;;;干法刻蚀技术;干法刻蚀特点
与湿法腐蚀比较，优势：
保真度好，图形分辨率高；
湿法腐蚀难的薄膜如氮化硅等可以进行干法刻蚀。无湿法腐蚀的大量酸碱废液。;;离子束铣蚀
高能离子束对衬底进行轰击，撞击出衬底原子，形成掩蔽膜图形;化学性刻蚀利用等离子体中的化学活性原子团与被刻蚀材料发生化学反应，从而实现刻蚀目的。
由于刻蚀的核心还是化学反应(只是不涉及溶液的气体状态)，因此刻蚀的效果和湿法刻蚀有些相近，具有较好的选择性，但各向异性较差。;RIE是等离子化学性刻蚀和溅射物理性刻蚀现象同时作用的刻蚀，实际是离子辅助刻蚀。
目前， RIE是在IC中采用最多的刻蚀方法。;RIE刻蚀特点;二;2. 选择比;一、 概述;;;高分子层;增加氢;刻蚀技术;刻蚀技术;Si-N键强度介于Si-O、 Si-Si之间，刻蚀SiO2的气体可用于氮化硅的刻蚀。
LPCVD Si3N4 作为选择性氧化掩模，CF4，或CF4(+O2 ）或SF6、NF3 作为刻蚀气体。
PECVD Si3N4作为器件保护膜，刻蚀压焊点窗口，用CF4+O2作为刻蚀气体。;铝、铝合金;一、 概述
文档评论（0）