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⽤CadenceVirtuosoIC617仿真⼯艺库参数 前⾔ 本⽂为我 ⾃⼰的学习笔记，是Cadence V rtuoso系列的第三篇⽂章，也是⼊门系列的⽂章，采⽤的软件版本是Cadence V rtuoso IC6 17。其他⽂章请点击上⽅，看我制作的Cadence V rtuoso专栏内容。 前⽂记录了⽤Cadence V rtuoso IC6 17仿真V-I特性曲线 （可点击下⽅链接查看），本⽂将会描述，如何通过V-I特性曲线得出SMIC 0.18um⼯艺库的⼯艺参数。 N-MOS的测量 提取数据 上⼀篇⽂章已经得到了在不同的vgs下的vds参数曲线。原理图如下。W为220um，L为 180um，后⾯会⽤到。 为了更精确得到数据，这⾥改变⼀下扫描范围，vds范围改为0-2V ，vgs范围改为0.6- 1.2V ，步长设置为0.2V ，得出结果如下图。 选择Marker菜单中的Create Marker，在图标中添加标记，软件会 ⾃动得出相交点的数据。 添加⼀个垂直的标记，为了简便我选的是 1V的坐标，点击OK后，再添加⼀个1.5V的坐标，这样我们就有了两组数据。 添加垂直标记后的效果，点击标记，就能显⽰出数值。这⾥为了⽅便计算，我选择vgs对应0.8V和 1V下的数据，此时vds选择的是 1V和 1.5V。 具体的数据记录如下表，由于计算时都是约数，实际上⼩数点保留两位时影响并不⼤。 vvggss == 00..88VV vvggss == 11..00VV vds = 1V 28.62uA 53.72uA vds = 1.5V 30.35uA 56.21uA 计算过程 通过引⼊带沟道调制效应系数的公式，三步得出结果。 P-MOS的测量 P-MOS的参数也是通过上⾯的⽅法测得。 提取数据 上⼀篇⽂章已经得到了在不同的vsg下的vsd参数曲线。原理图如下。W为220um，L为 180um，后⾯会⽤到。 为了更精确得到数据，这⾥改变⼀下扫描范围，vsd范围改为0-2V ，vsg范围改为0.6- 1.2V ，步长设置为0.2V ，添加 1V和 1.5V的Marker 垂直标记线后，得出结果如下图。 具体的数据记录如下表，由于计算时都是约数，实际上⼩数点保留两位时影响并不⼤。其中IDS取的是绝对值。 vvssgg == 00..88VV vvssgg == 11..00VV vsd = 1V 12.83uA 23.47uA vsd = 1.5V 13.33uA 24.20uA 计算过程 通过引⼊带沟道调制效应系数的公式，三步得出结果。