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一种准垂直二极管的制备方法.pdfVIP

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  • 2023-07-19 发布于四川
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一种准垂直二极管的制备方法.pdf

    本发明属于半导体元器件技术领域，具体涉及一种准垂直二极管的制备方法，包括以下具体步骤：选取蓝宝石或碳化硅作为衬底层；在衬底层上，生长缓冲层,然后依次生长沟道层、氮化铝薄膜以及超晶格匹配的势垒层，从而形成3‑6组异质结层，之后生长一层高掺导电的传输层，最后生长低掺杂的漂移层，形成外延结构；在所述外延结构上设置阴极台面；对所述阴极台面上表面甩光刻胶，并对光刻胶进行阴极曝光，在阴极槽内形成光刻胶掩模；光刻胶显影结束后再次进行烘胶，使光刻胶具有更强的抗刻蚀能力。通过多沟道的异质结层所带来的形成的多个并联

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116453950 A (43)申请公布日 2023.07.18 (21)申请号 202310451245.5 (22)申请日 2023.04.25 (71)申请人 江苏芯港半导体有限公司 地址 2

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