存储芯片分析和总结.docx

NAND Flash 芯片 1 NAND FlaSh 和 NOR Flash K9F1208 闪存(Flash Memory)由于其具有非易失性、电可擦除性、可重复编程以及高密度、低功耗等特点,被广泛地应用于手机、MP3、数码相机、笔记本电脑等数据存储设备中。NAND Flash 和 NOR Flash 是目前市场上两种主要的非易失闪存芯片。与 NOR Flash 相比,NAND Flash 在容量、功耗、使用寿命等方面的优势使其成为高数据存储密度的理想解决方案。NOR Flash 的传输效率很高,但写入和擦除速度较低;而 NAND Flash 以容量大、写速度快、芯片面积小、单元密度高、擦除速度快、成本低等特点,在非易失性类存储设备中显现出强劲的市场竞争力。 结构：NOR Flash 为并行,NAND Flash 为串行。 总线：NOR Flash 为分离的地址线和数据线,而 NANDFlash 为复用的。尺寸：典型的 NAND Flash 尺寸为 NOR Flash 尺寸的 1／8。 坏块：NAND 器件中的坏块是随机分布的,需要对介质进行初始化扫描以发现坏块,并将坏块标记为不可用。 位交换：NAND Flash 中发生的次数要比 NOR Flash 多,建议使用 NAND 闪存时,同时使用 EDC／ECC 算法。使用方法：NOR Flash 是可在芯片内执行(XIP,eXecute In Place),应用程序可以直接在 FIash 闪存内 运行,不必再把代码读到系统 RAM 中;而 NAND Flash 则需 I／O 接口,因此使用时需要写入驱动程序。 通过以上的分析和比较,NAND Flash 更适合于大容量数据存储的嵌入式系统。本设计选用 Samsung 公司生产的 NAND Flash 存储器芯片 K9F1208 作为存储介质,并应用在基于 uPSD3234A 增强型 8051 单片机的嵌入式系统中。 3 K9F1208 介绍 K9F1208 是 Samsung 公司生产的 512 Mb(64M×8 位)NAND Flash 存储器。该存储器的工作电压为 2.7～ 3.6 V,内部存储结构为 528 字节×32 页×4 096 块,页大小为 528 字节,块大小为(16 KB+512 字节);可实现程序自动擦写、页程序、块擦除、智能的读／写和擦除操作,一次可以读／写或者擦除 4 页或者块的内容, 内部有命令寄存器。如图 2 所示,该器件按功能可以划分为：存储阵列、输入／输出缓冲、命令寄存器、地址译码寄存器和控制逻辑产生。其中,命令寄存器用来确定外部设备对存储器进行操作的类型;地址译码寄存器用于保存被访问的地址并产生相应的译码选通信号。主设备通过 8 位I／O 端口分时复用访问器件命令、地址和数据寄存器,完成对芯片内存储器的访问。 4 K9F1208 读／写和擦除操作的实现 对于 K9F1208 的操作主要有页读取和页编程操作。图 3 是 NAND Flash 的标准页读取时序图。具体的页读取操作如下：发命令阶段,在片选信号 CE 有效的情况下,首先命令允许信号 CLE 有效,此时写入信号 WE 有效,芯片准备好信号 R／B 置高,表示准备好;同时向 I／O 口发送读操作命令(0x00 或 0x01),表示是读操作。发地址阶段,此时片选有效,地址允许信号 ALE 有效,写入信号 WE 保持有效,连续发送 4 个地址字;K9F1208 的地址寄存器接收到地址值后,R／B 信号将维持“忙”一段时间,此后 R／B 变为准备好状态。最后是数据输出阶段,每次读有效信号置低有效时,将会输出一组数据。如此往复直到所有数据输出完毕。 图 4 是 NAND FLash 的标准页编程时序图。具体的页编程操作如下：发命令阶段,向 I／O 口发送页编程操作第一个命令字(0x80),表示是页编程操作。发地址阶段,连续发送 4 个地址字,K9F1208 的地址寄存器接收到地址值后,等待接收数据;当数据总线发送数据后,K9F1208 连续接收数据,直到接收到页编程的第二个命令字(0x10),即结束等待接收数据的状态;R／B 信号将维持“忙”一段时间,此后 R／B 变为准备好状态。最后总线上发出读状态命令字(0x70),则K9F1208 的命令寄存器接收并响应该命令,向I／O 口发送表示操作成功的状态数据(0x00)或表示操作失败的状态数据(0X01)。