半导体材料工艺-提纯-区域熔炼PPT课件.pptxVIP

半导体材料工艺-提纯 ------区域熔炼;半导体材料工艺：;区域提纯： 区熔提纯是1952年美国科学家蒲凡提出的一种物 理方法，用于制备超纯的半导体材料，高纯金属。;平衡分凝系数 定义： ; 加入杂质后，纯组分A的熔点可能出现的变化：1、熔点降低 2、熔点升高;;; 由上图的液固两相二元相图，可推测出： 1、能使材料熔点下降的杂质，K01，提纯时杂质向尾部集中 2、能使材料熔点上升的杂质，K01，提纯时杂质向头部集中 ;有效分凝系数;BPS公式（伯顿-普里-斯利奇特公式）;当fD/δ, e-f/(d/δ)→ → 0，则有： ;区熔原理;杂质在区熔后锭体中的分布规律：;一次区熔提纯;一次区熔与正常凝固的比较;多次区熔与极限分布;极限分布;影响区熔提纯的主要因素;2、熔区移动速度 根据BPS公式，熔区的移动速度越小，Keff→K0，有利于 杂质的分凝与提纯，但区熔速度过慢会降低生产效率。 要想在最短时间内，最有效的提纯材料，必须同时考虑 区熔次数 n 与区熔速度 f ，使 n/f 的比值最小。即用尽可能少 的区熔次数和尽量快的区熔速度来区熔，