基于流体仿真的同轴质高压介质挡辉光放电脉冲特性研究.docxVIP

基于流体仿真的同轴质高压介质挡辉光放电脉冲特性研究 1 辉光放电特性 由于压力介质的阻塞效应（dap），放电可以通过电池形状转化为弧形，并形成各种放电形式，如精细放电、城市电压分离和闪光放电。这是生成低温带电子的有效方法。 典型的辉光放电具有阴极位降区、负辉区、法拉第暗区、正柱区、阳极辉区等不同的特征区域,其中阴极位降区的宽度和电压降落值是表征辉光放电特性的重要依据 实验已经证明在大气压He/N 2 数值模型 2.1 he-dbd的物理描述 本文针对如图2所示的双面均覆盖阻挡介质的He-DBD结构进行相关的数值计算,电极形状为直径50 mm的圆形.高压侧阻挡介质为厚度1 mm、相对介电常数为10的氧化铝陶瓷,接地侧阻挡介质为厚度2 mm、相对介电常数为7的钠钙玻璃.氦气间隙固定为4 mm,高压侧施加频率为22 k Hz正弦交流高压.由于大气压He-DBD常表现为均匀放电,利用一维流体模型对He-DBD进行描述,可考虑丰富的物理化学过程,计算速度较快,是一种相对合理且高效的He-DBD数值模拟方法. 2.2 子流体模型的求解 He-DBD中不可避免地存在一定量的杂质N 其中,n (2)式中,E为电场强度,μ 回路总电流i 粒子流体模型采用通量边界条件,对于电子,考虑阻挡介质表面正离子碰撞引起的二次电子发射过程,使用二次电子发射系数γ进行表征.电场模型中,在阻挡介质表面考虑表面电荷积聚的影响.具体边界条件表达形式可参见文献 模型在COMSOL Multiphysics中进行求解,初始电子密度为1×10 3 结果与讨论 3.1 结构分区时域演化 本小节将根据电场、光强和粒子等的空间分布,对大气压辉光放电脉冲的阴极位降区、负辉区、法拉第暗区和正柱区等特征结构分区时域演化进行研究.其中,发光强度与激发态粒子的退激辐射密切相关,可通过辐射概率较高的激发态粒子的空间分布来表征.亚稳态粒子He(2 式中I 3.1.1 电流上升和电流下降阶段 图3(a)—图3(c)分别是电流上升至50%峰值、达到电流峰值和下降至50%峰值三个时刻的各放电特征参数的空间分布曲线.其中,三个时刻的光强均使用电流峰值时刻的最高光强进行归一化.从光强分布和带电粒子空间分布特征可以看到,在电流上升阶段(以上升至50%电流峰值时刻为例),放电具有辉光放电的发光结构雏形,但是缺少法拉第暗区,正柱区范围较小,而此时的阴极电位降落集中在阴极附近1 mm范围内.随着电流增长,至电流峰值时刻,阴极位降区和负辉区的范围被压缩(约0.54 mm),法拉第暗区出现(长约0.99 mm),正柱区范围增大至2.39 mm,有范围很小的阳极辉区,辉光放电结构基本形成.由于负辉区与阴极位降区十分接近,这里先不对这两个区域加以区分.在电流下降阶段(以下降至50%电流峰值时刻为例),放电仍呈现辉光放电结构,但阴极附近电位急剧降落的范围略有扩大,负辉区与瞬态阴极距离缩短,发光强度明显下降,正负带电粒子密度下降.在形成辉光放电结构之后,正负带电粒子最大密度的数量级在10 3.1.2 电流密度与负辉区位置的关系 从上文的分析中可以看到,各个特征分区的范围会随着时间发生较大的变化.而阴极位降区是辉光放电的重要特征区域,其电位降落和电流密度对于界定辉光放电类型和特性具有重要作用.因此,下文将从两个方面对大气压辉光放电脉冲的阴极位降区进行量化定义,并探讨其与负辉区位置的关系. 定义1第一类定义由(8)式确定,其中d 更进一步地可以引出电子增长率δ(x 以外施电压幅值为U=1.5 k V时的正放电为例,计算所得回路总电流、阴极位降区宽度d 定义2在阴极位降区内,电场强度会经历一个线性下降阶段,文献 3.1.3 等离子体剑内阴极位降区的特性 辉光放电在阴极附近会形成一个等离子体鞘层.在该区域内,正离子密度远大于电子密度.在鞘层边界处,正离子密度会趋向于等于电子密度,并逐渐过渡到正负电荷基本相等的正柱区.从图6可以看到,等离子体鞘层边界在接近于电流峰值时刻和电子最高密度位置十分接近.从电流峰值时刻的电位分布曲线可以看到,鞘层边界空间位置的电位已经几乎没有减小了,可以确认等离子体鞘层区已经包含了阴极位降区.激发态粒子最高密度位置在鞘层的中间位置,这说明绝大部分负辉区也包含在等离子体鞘层中. 综上所述,在大气压下,正弦交流DBD的辉光放电结构在接近电流峰值时形成,在电流下降沿内均存在辉光放电结构.由定义1所确定的阴极位降区比负辉区更靠近阴极,较符合经典的直流辉光放电结构,但无法很好地反映阴极电位降落数值,且在电流下降沿内就失去定义.定义2所确定的阴极位降区范围可以很好地反映阴极电位降落数值,但与负辉区有部分重叠.在电流峰值时刻,光强最强点位于阴极位降区边界附近.由于阴极电位降落值和电流密度等是辉光放电的重要特征参数,且